RU18N65P - описание и поиск аналогов

 

RU18N65P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU18N65P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 260 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 81 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 410 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для RU18N65P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU18N65P даташит

 ..1. Size:467K  ruichips
 ru18n65p.pdf pdf_icon

RU18N65P

RU18N65P N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 650V/18A, RDS (ON) =410m (Typ.)@VGS=10V Low Reverse Transfer Ultra Low Gate Charge 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) GD S TO220F D D D D D Applications D pp D AC/DC Power Conversi

Другие MOSFET... BRU24N50 , BRU26N50 , BSS123K2 , RU12N65P , RU13N65R , RU15P12C , RU17P12C , RU17P6C , IRF1407 , RU205C , RU2060L , RU20N65P , RU20N65R , RU20P3C , RU2N65P , RU30110M , RU30120M3 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.