Справочник MOSFET. RU18N65P

 

RU18N65P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU18N65P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 260 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 81 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 410 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для RU18N65P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU18N65P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:467K  ruichips
 ru18n65p.pdf pdf_icon

RU18N65P

RU18N65PN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 650V/18A, RDS (ON) =410m(Typ.)@VGS=10V Low Reverse Transfer Ultra Low Gate Charge 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GDSTO220FDDDDDApplications Dpp D AC/DC Power Conversi

Другие MOSFET... BRU24N50 , BRU26N50 , BSS123K2 , RU12N65P , RU13N65R , RU15P12C , RU17P12C , RU17P6C , P0903BDG , RU205C , RU2060L , RU20N65P , RU20N65R , RU20P3C , RU2N65P , RU30110M , RU30120M3 .

History: IPP77N06S2-12 | KI5515DC | AM7401P

 

 
Back to Top

 


 
.