RU2N65P - описание и поиск аналогов

 

RU2N65P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU2N65P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 23 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5.5 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для RU2N65P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU2N65P даташит

 ..1. Size:458K  ruichips
 ru2n65p.pdf pdf_icon

RU2N65P

RU2N65P N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 650V/2A, RDS (ON) =4300m (Typ.)@VGS=10V Low Reverse Transfer Ultra Low Gate Charge 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) GD S TO220F D D D D D Applications D pp D AC/DC Power Conversion i

Другие MOSFET... RU17P12C , RU17P6C , RU18N65P , RU205C , RU2060L , RU20N65P , RU20N65R , RU20P3C , AO3407 , RU30110M , RU30120M3 , RU30180M-C , RU3030M3 , RU3040M3 , RU3070M3 , RU30C20M3 , RU30C30M .

History: SWD051R08ES | AP9970GW | IXFT50N85XHV

 

 

 

 

↑ Back to Top
.