Справочник MOSFET. RU2N65P

 

RU2N65P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU2N65P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 23 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5.5 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для RU2N65P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU2N65P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:458K  ruichips
 ru2n65p.pdf pdf_icon

RU2N65P

RU2N65PN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 650V/2A, RDS (ON) =4300m(Typ.)@VGS=10V Low Reverse Transfer Ultra Low Gate Charge 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GDSTO220FDDDDDApplications Dpp D AC/DC Power Conversion i

Другие MOSFET... RU17P12C , RU17P6C , RU18N65P , RU205C , RU2060L , RU20N65P , RU20N65R , RU20P3C , 7N60 , RU30110M , RU30120M3 , RU30180M-C , RU3030M3 , RU3040M3 , RU3070M3 , RU30C20M3 , RU30C30M .

History: IRFS31N20DP | FDME430NT | RUH120N90R

 

 
Back to Top

 


 
.