RU30110M - описание и поиск аналогов

 

RU30110M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU30110M

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 385 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm

Тип корпуса: DFN5060

Аналог (замена) для RU30110M

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU30110M даташит

 ..1. Size:763K  ruichips
ru30110m.pdfpdf_icon

RU30110M

RU30110M N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 30V/110A, RDS (ON) =3.8m (Typ.)@VGS=10V D RDS (ON) =4.6m (Typ.)@VGS=4.5V DD D Uses Ruichips advanced TrenchTM technology Ultra Low On-Resistance G Fast Switching Speed S S 100% avalanche tested S Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant) PIN1 DFN5060 D Applications DC/DC Conve

 9.1. Size:317K  ruichips
ru30120s.pdfpdf_icon

RU30110M

RU30120S N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 30V/120A, RDS (ON) =2.5m (Typ.)@VGS=10V D RDS (ON) =3.3m (Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% Avalanche Tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) G S TO263 D Applications DC-DC Converters G S N-Channel MOSFET Absolute Maximum

 9.2. Size:296K  ruichips
ru30100l.pdfpdf_icon

RU30110M

RU30100L N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 30V/100A, RDS (ON) =2.2 m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =4 m (Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested TO-252 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications High Frequency Synchronous Buck Converters for Computer Proces

 9.3. Size:276K  ruichips
ru30120l.pdfpdf_icon

RU30110M

RU30120L N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 30V/120A, RDS (ON) =2.5m (Typ.) @ VGS=10V RDS (ON) =3.3m (Typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested TO252 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications DC-DC Converters N-Channel MOSFET Absolute Maximum Rat

Другие MOSFET... RU17P6C , RU18N65P , RU205C , RU2060L , RU20N65P , RU20N65R , RU20P3C , RU2N65P , 18N50 , RU30120M3 , RU30180M-C , RU3030M3 , RU3040M3 , RU3070M3 , RU30C20M3 , RU30C30M , RU30C40M3 .

History: SWD6N65K | STW43NM60N | HY3410MF | S2N7002K

 

 

 

 

↑ Back to Top
.