Справочник MOSFET. RU40180R

 

RU40180R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU40180R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 76 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 590 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для RU40180R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU40180R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:368K  ruichips
 ru40180r.pdf pdf_icon

RU40180R

RU40180RN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 40V/180A, RDS (ON) =1.8m(Typ.)@VGS=10V Uses Ruichips Proprietary New TrenchTM Technology Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche RatedF t S it hi d F ll A l h R t d 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Complian

 9.1. Size:296K  ruichips
 ru40190q2.pdf pdf_icon

RU40180R

RU40190Q2N-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 40V/190A,RDS (ON) =2.5m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)TO-3PApplications DC-DC Converters and Off-line UPS Switching ApplicationsN-Channel MOSFETAbsolute Maximu

 9.2. Size:301K  ruichips
 ru40120r.pdf pdf_icon

RU40180R

RU40120RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 40V/120A,RDS (ON) =3.5m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications DC-DC Converters Power SupplyN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParamete

 9.3. Size:628K  ruichips
 ru40191s.pdf pdf_icon

RU40180R

RU40191SN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 40V/190A, RDS (ON) =1.8m(Typ.)@VGS=10V D Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedGS Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)TO263DApplications DC-DC Converters and Off-line UPS Switching ApplicationsGSN-Channel MOSFETAbso

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... RU30C30M , RU30C40M3 , RU30J30M3 , RU30L30M3 , RU30L40M3 , RU30L40M-C , RU30P40M3 , RU40120L , RU7088R , RU4030M3 , RU40C20M3 , RU40C40M , RU40L60L , RU40L60M , RU4N65P , RU6035M3 , RU6051H .

History: SWD10N65K2 | WMT04P06TS | WSD2054DN22 | HSL0004 | MTB30P06VT4 | CRTS030N04L

 

 
Back to Top

 


 
.