RU4N65P - описание и поиск аналогов

 

RU4N65P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU4N65P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 48 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.6 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для RU4N65P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU4N65P даташит

 ..1. Size:455K  ruichips
 ru4n65p.pdf pdf_icon

RU4N65P

RU4N65P N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 650V/4A, RDS (ON) =2200m (Typ.)@VGS=10V Low Reverse Transfer Ultra Low Gate Charge 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) GD S TO220F D D D D D Applications D pp D AC/DC Power Conversion i

Другие MOSFET... RU30P40M3 , RU40120L , RU40180R , RU4030M3 , RU40C20M3 , RU40C40M , RU40L60L , RU40L60M , AON7403 , RU6035M3 , RU6051H , RU65110R , RU7N65L , RU82100R , RU9N65P , RUH008N15M-C , RUH120N140R .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.