Справочник MOSFET. RU4N65P

 

RU4N65P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU4N65P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 48 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.6 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для RU4N65P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU4N65P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:455K  ruichips
 ru4n65p.pdf pdf_icon

RU4N65P

RU4N65PN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 650V/4A, RDS (ON) =2200m(Typ.)@VGS=10V Low Reverse Transfer Ultra Low Gate Charge 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GDSTO220FDDDDDApplications Dpp D AC/DC Power Conversion i

Другие MOSFET... RU30P40M3 , RU40120L , RU40180R , RU4030M3 , RU40C20M3 , RU40C40M , RU40L60L , RU40L60M , EMB04N03H , RU6035M3 , RU6051H , RU65110R , RU7N65L , RU82100R , RU9N65P , RUH008N15M-C , RUH120N140R .

History: SFG250N08KF | IRFR540ZTRPBF | SSF2439E | SST60R360S2E | WSD2075DN | HSCA2030 | STB21NM60N-1

 

 
Back to Top

 


 
.