Справочник MOSFET. RU7N65L

 

RU7N65L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU7N65L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 76 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 158 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RU7N65L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:382K  ruichips
 ru7n65l.pdf pdf_icon

RU7N65L

RU7N65LN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 650V/7A,D RDS (ON) =1200m(Typ.)@VGS=10V Low Reverse Transfer Ultra Low Gate Charge 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GSTO252DDDDDDDApplicationspp AC/DC Power Conversio

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: NTMFS6B14N | SPN12T20

 

 
Back to Top

 


 
.