Справочник MOSFET. RU7N65L

 

RU7N65L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU7N65L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 76 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 158 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для RU7N65L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU7N65L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:382K  ruichips
 ru7n65l.pdf pdf_icon

RU7N65L

RU7N65LN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 650V/7A,D RDS (ON) =1200m(Typ.)@VGS=10V Low Reverse Transfer Ultra Low Gate Charge 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GSTO252DDDDDDDApplicationspp AC/DC Power Conversio

Другие MOSFET... RU40C20M3 , RU40C40M , RU40L60L , RU40L60M , RU4N65P , RU6035M3 , RU6051H , RU65110R , 2N7002 , RU82100R , RU9N65P , RUH008N15M-C , RUH120N140R , RUH120N140S , RUH120N140T , RUH120N35L , RUH120N35M3 .

History: 50N60L-TM3-T | WMK18N70EM | 2SJ583LS | STB20N65M5 | NP55N055SUG | WMO50P04T1 | WMN10N60C4

 

 
Back to Top

 


 
.