RU7N65L - описание и поиск аналогов

 

RU7N65L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU7N65L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 76 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 158 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для RU7N65L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU7N65L даташит

 ..1. Size:382K  ruichips
 ru7n65l.pdf pdf_icon

RU7N65L

RU7N65L N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 650V/7A, D RDS (ON) =1200m (Typ.)@VGS=10V Low Reverse Transfer Ultra Low Gate Charge 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) G S TO252 D D D D D D D Applications pp AC/DC Power Conversio

Другие MOSFET... RU40C20M3 , RU40C40M , RU40L60L , RU40L60M , RU4N65P , RU6035M3 , RU6051H , RU65110R , MMIS60R580P , RU82100R , RU9N65P , RUH008N15M-C , RUH120N140R , RUH120N140S , RUH120N140T , RUH120N35L , RUH120N35M3 .

History: K1307 | JMSL1040PGDQ

 

 

 

 

↑ Back to Top
.