RUH1H138S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: RUH1H138S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 294 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 138 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 760 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для RUH1H138S
RUH1H138S Datasheet (PDF)
ruh1h138s.pdf

RUH1H138SN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 100V/138A,DRDS (ON) =4.2m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =4.6m(Typ.)@VGS=4.5V Uses Ruichips advanced RUISGTTM technology Ultra Low On-Resistance Excellent QgxRDS(on) ProductE ll t Q R P d t 100% avalanche tested 175C Operating TemperatureG Lead Free and Green Devices Available (RoHS
ruh1h138m-c.pdf

RUH1H138M-CN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 100V/130A,RDS (ON) =3.6m(Typ.)@VGS=10VDRDS (ON) =4.5m(Typ.)@VGS=4.5VDD Uses Ruichips advanced RUISGTTM technology D Ultra Low On-Resistance Fast Switching SpeedG 100% Avalanche TestedSS Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant)SPIN1DFN5060DApplications Syn
ruh1h130s.pdf

RUH1H130SN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 100V/130A,DRDS (ON) =5.8m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =6.5m(Typ.)@VGS=4.5V Uses Ruichips advanced RUISGTTM technology Ultra Low On-Resistance Excellent QgxRDS(on) ProductE ll t Q R P d t 100% avalanche tested 175C Operating TemperatureG Lead Free and Green Devices Available (RoHS
ruh1h139r.pdf

RUH1H139RN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 100V/138A, RDS (ON) =4.6m(Typ.)@VGS=10V Uses Ruichips advanced RUISGTTM Technology Ultra Low On-Resistance Excellent QgxRDS(on) Product 100% Avalanche Tested100% A l h T t d 175C Operating Temperature Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant)GDSTO220DDDDDDApp
Другие MOSFET... RUH120N35L , RUH120N35M3 , RUH120N70R , RUH120N81L , RUH120N90M , RUH120N90R , RUH1H130S , RUH1H138M-C , IRF640 , RUH1H139R , RUH1H139R-A , RUH1H139S , RUH1H150M-C , RUH1H150R-A , RUH1H150S , RUH1H150S-AR , RUH1H150T .
History: IRLML2803TRPBF | LNG05R155 | DMG8601UFG | IRF8252PBF-1 | HAT3032R | R6024ENZ | RTU002P02
History: IRLML2803TRPBF | LNG05R155 | DMG8601UFG | IRF8252PBF-1 | HAT3032R | R6024ENZ | RTU002P02



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
mpsa56 transistor | transistor 2222a | 8050 transistor | bc238 | 2sb772 | 2n2222a-1726 datasheet | bc516 | 2n3391 equivalent