RUH1H139S - описание и поиск аналогов

 

RUH1H139S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RUH1H139S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 294 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 138 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 720 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для RUH1H139S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RUH1H139S даташит

 ..1. Size:310K  ruichips
 ruh1h139s.pdf pdf_icon

RUH1H139S

RUH1H139S N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 100V/138A, D RDS (ON) =4.6m (Typ.)@VGS=10V Uses Ruichips advanced RUISGTTM technology Ultra Low On-Resistance Excellent QgxRDS(on) Product 100% Avalanche Tested 100% A l h T t d 175 C Operating Temperature Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant) G S TO263 D D D D D D Appl

 6.1. Size:378K  ruichips
 ruh1h139r.pdf pdf_icon

RUH1H139S

RUH1H139R N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 100V/138A, RDS (ON) =4.6m (Typ.)@VGS=10V Uses Ruichips advanced RUISGTTM Technology Ultra Low On-Resistance Excellent QgxRDS(on) Product 100% Avalanche Tested 100% A l h T t d 175 C Operating Temperature Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant) G D S TO220 D D D D D D App

 6.2. Size:374K  ruichips
 ruh1h139r-a.pdf pdf_icon

RUH1H139S

RUH1H139R-A N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 100V/138A, RDS (ON) =4.6m (Typ.)@VGS=10V Uses Ruichips advanced SGT Technology Ultra Low On-Resistance Excellent QgxRDS(on) Product 100% Avalanche Tested 100% Avalanche Tested 175 C Operating Temperature Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant) G D S TO220 D D D D D

 7.1. Size:312K  ruichips
 ruh1h138s.pdf pdf_icon

RUH1H139S

RUH1H138S N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 100V/138A, D RDS (ON) =4.2m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =4.6m (Typ.)@VGS=4.5V Uses Ruichips advanced RUISGTTM technology Ultra Low On-Resistance Excellent QgxRDS(on) Product E ll t Q R P d t 100% avalanche tested 175 C Operating Temperature G Lead Free and Green Devices Available (RoHS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... RUH120N81L , RUH120N90M , RUH120N90R , RUH1H130S , RUH1H138M-C , RUH1H138S , RUH1H139R , RUH1H139R-A , IRF1404 , RUH1H150M-C , RUH1H150R-A , RUH1H150S , RUH1H150S-AR , RUH1H150T , RUH1H220R , RUH1H220S , RUH1H300T .

History: ELM34804AA | DM7N65C

 

 

 

 

↑ Back to Top
.