RUH1H150R-A - описание и поиск аналогов

 

RUH1H150R-A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RUH1H150R-A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 319 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1850 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для RUH1H150R-A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RUH1H150R-A даташит

 ..1. Size:396K  ruichips
 ruh1h150r-a.pdf pdf_icon

RUH1H150R-A

RUH1H150R-A N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 100V/150A, RDS (ON) =3.4m (Typ.)@VGS=10V Using Ruichips Advanced RUISGTTM Technology Ultra Low On-Resistance Excellent Qg&RDS(on) Performance Low Gate Charge Minimizing Switching Loss L G t Ch Mi i i i S it hi L 100% Avalanche Tested Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant) G D

 5.1. Size:1197K  ruichips
 ruh1h150r.pdf pdf_icon

RUH1H150R-A

RUH1H150R N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 100V/150A, RDS (ON) =3.2m (Typ.)@VGS=10V Advanced HEFET Technology Ultra Low On-Resistance Excellent QgxRDS(on) Product 100% avalanche tested 175 C Operating Temperature Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) G D S TO220 D Applications Motor Drives Uninte

 6.1. Size:311K  ruichips
 ruh1h150s.pdf pdf_icon

RUH1H150R-A

RUH1H150S N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 100V/150A, D RDS (ON) =3.2m (Typ.)@VGS=10V Uses Ruichips advanced RUISGTTM Technology Ultra Low On-Resistance Excellent QgxRDS(on) Product 100% avalanche tested 100% l h t t d 175 C Operating Temperature Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) G S TO263 D D D D D

 6.2. Size:265K  ruichips
 ruh1h150t.pdf pdf_icon

RUH1H150R-A

RUH1H150T N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 100V/150A, 11 RDS (ON) =2.9m (Typ.)@VGS=10V 9 10 Using Ruichips Advanced RUISGTTM Technology 10 9 Ultra Low On-Resistance Excellent Qg&RDS(on) Performance 11 1 1 Low Gate Charge Minimizing Switching Loss L G t Ch Mi i i i S it hi L 2 8 34 76 100% Avalanche Tested 56 54 Lead Fre

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... RUH120N90R , RUH1H130S , RUH1H138M-C , RUH1H138S , RUH1H139R , RUH1H139R-A , RUH1H139S , RUH1H150M-C , IRFB4110 , RUH1H150S , RUH1H150S-AR , RUH1H150T , RUH1H220R , RUH1H220S , RUH1H300T , RUH3025M3 , RUH3030M3 .

History: SNN0310Q | HY1808APS

 

 

 

 

↑ Back to Top
.