Справочник MOSFET. RUH1H300T

 

RUH1H300T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RUH1H300T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 428 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 300 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 6450 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0019 Ohm
   Тип корпуса: TOLL
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RUH1H300T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:264K  ruichips
 ruh1h300t.pdf pdf_icon

RUH1H300T

RUH1H300TN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 100V/300A,11RDS (ON) =1.6m(Typ.)@VGS=10V910 Using Ruichips Advanced RUISGTTM Technology109 Ultra Low On-Resistance Excellent Qg&RDS(on) Performance1111 Low Gate Charge Minimizing Switching LossL G t Ch Mi i i i S it hi L2 834 76 100% Avalanche Tested56 54 Lead Fre

 9.1. Size:312K  ruichips
 ruh1h138s.pdf pdf_icon

RUH1H300T

RUH1H138SN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 100V/138A,DRDS (ON) =4.2m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =4.6m(Typ.)@VGS=4.5V Uses Ruichips advanced RUISGTTM technology Ultra Low On-Resistance Excellent QgxRDS(on) ProductE ll t Q R P d t 100% avalanche tested 175C Operating TemperatureG Lead Free and Green Devices Available (RoHS

 9.2. Size:396K  ruichips
 ruh1h150r-a.pdf pdf_icon

RUH1H300T

RUH1H150R-AN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 100V/150A, RDS (ON) =3.4m(Typ.)@VGS=10V Using Ruichips Advanced RUISGTTM Technology Ultra Low On-Resistance Excellent Qg&RDS(on) Performance Low Gate Charge Minimizing Switching LossL G t Ch Mi i i i S it hi L 100% Avalanche Tested Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant)GD

 9.3. Size:312K  ruichips
 ruh1h130s.pdf pdf_icon

RUH1H300T

RUH1H130SN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 100V/130A,DRDS (ON) =5.8m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =6.5m(Typ.)@VGS=4.5V Uses Ruichips advanced RUISGTTM technology Ultra Low On-Resistance Excellent QgxRDS(on) ProductE ll t Q R P d t 100% avalanche tested 175C Operating TemperatureG Lead Free and Green Devices Available (RoHS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: BSC072N03LDG | DG840 | FDPF8N50NZU | SDF120JDA-D | IRLU3715 | KNB1906A | IRF6710S2

 

 
Back to Top

 


 
.