RUH3025M3 - описание и поиск аналогов

 

RUH3025M3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RUH3025M3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 112 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: DFN3030

Аналог (замена) для RUH3025M3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RUH3025M3 даташит

 ..1. Size:319K  ruichips
ruh3025m3.pdfpdf_icon

RUH3025M3

RUH3025M3 N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 30V/25A, D RDS (ON) =10m (Typ.)@VGS=10V D D RDS (ON) =16m (Typ.)@VGS=4.5V D Uses Ruichips Advanced RUISGTTM Technology Low Gate Charge Minimizing Switching Loss G Ultra Low On-Resistance S S S ESD protected 100% Avalanche Tested PIN1 Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant) D

 9.1. Size:384K  ruichips
ruh30150m.pdfpdf_icon

RUH3025M3

RUH30150M N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 30V/150A, RDS (ON) =0.9m (Typ.)@VGS=10V D D D D RDS (ON) =1.4m (Typ.)@VGS=4.5V Ultra Low On-Resistance Fast Switching Speed 100% avalanche tested G Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) S S S PIN1 PIN1 PDFN5060 D Applications DC/DC Converters On board power

 9.2. Size:286K  ruichips
ruh30j105m.pdfpdf_icon

RUH3025M3

RUH30J105M Dual Asymmetric N-Channel MOSFET Features Pin Description Die 1 30V/30A RDS (ON) =6m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =9m (Typ.)@VGS=4.5V Die 2 30V/120A RDS (ON) =2.2m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =3.0m (Typ.)@VGS=4.5V Ultra Low On-Resistance Uses Ruichips advanced SGT technology 100% avalanche tested PIN1 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Com

 9.3. Size:286K  ruichips
ruh30j85m.pdfpdf_icon

RUH3025M3

RUH30J85M Dual Asymmetric N-Channel MOSFET Features Pin Description Die 1 30V/30A RDS (ON) =6m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =9m (Typ.)@VGS=4.5V Die 2 30V/90A RDS (ON) =3.5m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =5m (Typ.)@VGS=4.5V Ultra Low On-Resistance Uses Ruichips advanced SGT technology 100% avalanche tested PIN1 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Complia

Другие MOSFET... RUH1H150M-C , RUH1H150R-A , RUH1H150S , RUH1H150S-AR , RUH1H150T , RUH1H220R , RUH1H220S , RUH1H300T , AON6414A , RUH3030M3 , RUH3051M , RUH3090M , RUH3090M3-C , RUH30J105M , RUH30J120M , RUH30J51M , RUH30J85M .

History: RUH30J120M | RUH3030M3 | 7N60GS

 

 

 

 

↑ Back to Top
.