Справочник MOSFET. RUH3025M3

 

RUH3025M3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RUH3025M3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 112 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: DFN3030
 

 Аналог (замена) для RUH3025M3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RUH3025M3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:319K  ruichips
ruh3025m3.pdfpdf_icon

RUH3025M3

RUH3025M3N-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 30V/25A,DRDS (ON) =10m(Typ.)@VGS=10VDDRDS (ON) =16m(Typ.)@VGS=4.5VD Uses Ruichips Advanced RUISGTTM Technology Low Gate Charge Minimizing Switching LossG Ultra Low On-Resistance SSS ESD protected 100% Avalanche TestedPIN1 Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant)D

 9.1. Size:384K  ruichips
ruh30150m.pdfpdf_icon

RUH3025M3

RUH30150MN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 30V/150A,RDS (ON) =0.9m(Typ.)@VGS=10V DDDDRDS (ON) =1.4m(Typ.)@VGS=4.5V Ultra Low On-Resistance Fast Switching Speed 100% avalanche testedG Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)SSSPIN1PIN1PDFN5060DApplications DC/DC Converters On board power

 9.2. Size:286K  ruichips
ruh30j105m.pdfpdf_icon

RUH3025M3

RUH30J105MDual Asymmetric N-Channel MOSFETFeatures Pin Description Die 1 30V/30ARDS (ON) =6m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =9m(Typ.)@VGS=4.5V Die 2 30V/120ARDS (ON) =2.2m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =3.0m(Typ.)@VGS=4.5V Ultra Low On-Resistance Uses Ruichips advanced SGT technology 100% avalanche testedPIN1 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Com

 9.3. Size:286K  ruichips
ruh30j85m.pdfpdf_icon

RUH3025M3

RUH30J85MDual Asymmetric N-Channel MOSFETFeatures Pin Description Die 1 30V/30ARDS (ON) =6m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =9m(Typ.)@VGS=4.5V Die 2 30V/90ARDS (ON) =3.5m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =5m(Typ.)@VGS=4.5V Ultra Low On-Resistance Uses Ruichips advanced SGT technology 100% avalanche testedPIN1 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Complia

Другие MOSFET... RUH1H150M-C , RUH1H150R-A , RUH1H150S , RUH1H150S-AR , RUH1H150T , RUH1H220R , RUH1H220S , RUH1H300T , IRFB4110 , RUH3030M3 , RUH3051M , RUH3090M , RUH3090M3-C , RUH30J105M , RUH30J120M , RUH30J51M , RUH30J85M .

History: JCS15N60CH | NP90N04MUH | CEB02N65G | VB1240B

 

 
Back to Top

 


 
.