Справочник MOSFET. RUH3051M

 

RUH3051M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RUH3051M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: DFN5060
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RUH3051M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:457K  ruichips
ruh3051m.pdfpdf_icon

RUH3051M

RUH3051MN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 30V/50A,RDS (ON) =5m(Typ.)@VGS=10VDRDS (ON) =7.5m(Typ.)@VGS=4.5VDDD Ultra Low On-Resistance Fast Switching Speed 100% avalanche testedGS Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)SSPIN1DFN5060DApplications DC/DC Converters On board power for server

 0.1. Size:414K  ruichips
ruh3051m2.pdfpdf_icon

RUH3051M

RUH3051M2N-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 30V/50A,RDS (ON) =4.2m(Typ.)@VGS=10V DDDDRDS (ON) =6m(Typ.)@VGS=4.5V Ultra Low On-Resistance Fast Switching Speed 100% avalanche testedG Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)SSSPIN1PIN1PDFN3333DApplications DC/DC Converters On board power for

 9.1. Size:384K  ruichips
ruh30150m.pdfpdf_icon

RUH3051M

RUH30150MN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 30V/150A,RDS (ON) =0.9m(Typ.)@VGS=10V DDDDRDS (ON) =1.4m(Typ.)@VGS=4.5V Ultra Low On-Resistance Fast Switching Speed 100% avalanche testedG Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)SSSPIN1PIN1PDFN5060DApplications DC/DC Converters On board power

 9.2. Size:286K  ruichips
ruh30j105m.pdfpdf_icon

RUH3051M

RUH30J105MDual Asymmetric N-Channel MOSFETFeatures Pin Description Die 1 30V/30ARDS (ON) =6m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =9m(Typ.)@VGS=4.5V Die 2 30V/120ARDS (ON) =2.2m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =3.0m(Typ.)@VGS=4.5V Ultra Low On-Resistance Uses Ruichips advanced SGT technology 100% avalanche testedPIN1 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Com

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SFB030N100C3 | PMN70XPE | IPA060N06N | NTP2955 | IRF8306MTRPBF | LR024N | SMK0460D

 

 
Back to Top

 


 
.