Справочник MOSFET. RUH30J120M

 

RUH30J120M MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RUH30J120M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 53 nC
   trⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1860 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
   Тип корпуса: DFN5060

 Аналог (замена) для RUH30J120M

 

 

RUH30J120M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:716K  ruichips
 ruh30j120m.pdf

RUH30J120M RUH30J120M

RUH30J120MDual Asymmetric N-Channel MOSFETFeatures Pin Description Die 1 30V/50ARDS (ON) =3.8m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =5.5m(Typ.)@VGS=4.5V Die 2 30V/120ARDS (ON) =2.2m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =3.0m(Typ.)@VGS=4.5V Ultra Low On-Resistance Uses Ruichips advanced SGT technology 100% avalanche testedPIN1 Lead Free and Green Devices Available (RoHS

 7.1. Size:286K  ruichips
 ruh30j105m.pdf

RUH30J120M RUH30J120M

RUH30J105MDual Asymmetric N-Channel MOSFETFeatures Pin Description Die 1 30V/30ARDS (ON) =6m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =9m(Typ.)@VGS=4.5V Die 2 30V/120ARDS (ON) =2.2m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =3.0m(Typ.)@VGS=4.5V Ultra Low On-Resistance Uses Ruichips advanced SGT technology 100% avalanche testedPIN1 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Com

 8.1. Size:286K  ruichips
 ruh30j85m.pdf

RUH30J120M RUH30J120M

RUH30J85MDual Asymmetric N-Channel MOSFETFeatures Pin Description Die 1 30V/30ARDS (ON) =6m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =9m(Typ.)@VGS=4.5V Die 2 30V/90ARDS (ON) =3.5m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =5m(Typ.)@VGS=4.5V Ultra Low On-Resistance Uses Ruichips advanced SGT technology 100% avalanche testedPIN1 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Complia

 8.2. Size:286K  ruichips
 ruh30j95m.pdf

RUH30J120M RUH30J120M

RUH30J95MDual Asymmetric N-Channel MOSFETFeatures Pin Description Die 1 30V/30ARDS (ON) =6m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =9m(Typ.)@VGS=4.5V Die 2 30V/90ARDS (ON) =2.8m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =4.2m(Typ.)@VGS=4.5V Ultra Low On-Resistance Uses Ruichips advanced SGT technology 100% avalanche testedPIN1 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compl

 8.3. Size:684K  ruichips
 ruh30j51m.pdf

RUH30J120M RUH30J120M

RUH30J51M Dual Symmetric N-Channel MOSFETFeatures Pin Description 30V/50A,S2S2RDS (ON) =5m(Typ.)@VGS=10VS2G2RDS (ON) =8m(Typ.)@VGS=4.5V Ultra Low On-Resistance Fast Switching SpeedD1D1D1 100% avalanche tested 100% avalanche testedD1 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)G1PIN1DFN5*6Applicationspp DC/DC Co

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top