RUH30J95M datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RUH30J95M  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 59 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 890 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: DFN5060

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для RUH30J95M

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RUH30J95M даташит

 ..1. Size:286K  ruichips
 ruh30j95m.pdf pdf_icon

RUH30J95M

RUH30J95M Dual Asymmetric N-Channel MOSFET Features Pin Description Die 1 30V/30A RDS (ON) =6m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =9m (Typ.)@VGS=4.5V Die 2 30V/90A RDS (ON) =2.8m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =4.2m (Typ.)@VGS=4.5V Ultra Low On-Resistance Uses Ruichips advanced SGT technology 100% avalanche tested PIN1 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compl

 8.1. Size:286K  ruichips
 ruh30j105m.pdf pdf_icon

RUH30J95M

RUH30J105M Dual Asymmetric N-Channel MOSFET Features Pin Description Die 1 30V/30A RDS (ON) =6m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =9m (Typ.)@VGS=4.5V Die 2 30V/120A RDS (ON) =2.2m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =3.0m (Typ.)@VGS=4.5V Ultra Low On-Resistance Uses Ruichips advanced SGT technology 100% avalanche tested PIN1 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Com

 8.2. Size:286K  ruichips
 ruh30j85m.pdf pdf_icon

RUH30J95M

RUH30J85M Dual Asymmetric N-Channel MOSFET Features Pin Description Die 1 30V/30A RDS (ON) =6m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =9m (Typ.)@VGS=4.5V Die 2 30V/90A RDS (ON) =3.5m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =5m (Typ.)@VGS=4.5V Ultra Low On-Resistance Uses Ruichips advanced SGT technology 100% avalanche tested PIN1 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Complia

 8.3. Size:716K  ruichips
 ruh30j120m.pdf pdf_icon

RUH30J95M

RUH30J120M Dual Asymmetric N-Channel MOSFET Features Pin Description Die 1 30V/50A RDS (ON) =3.8m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =5.5m (Typ.)@VGS=4.5V Die 2 30V/120A RDS (ON) =2.2m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =3.0m (Typ.)@VGS=4.5V Ultra Low On-Resistance Uses Ruichips advanced SGT technology 100% avalanche tested PIN1 Lead Free and Green Devices Available (RoHS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RUH3030M3, RUH3051M, RUH3090M, RUH3090M3-C, RUH30J105M, RUH30J120M, RUH30J51M, RUH30J85M, 2N7000, RUH40190M, RUH4022M3, RUH4025M3, RUH40300T, RUH40330T, RUH4040M3, RUH40D40M, RUH40E12C