FQP12P10. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: FQP12P10
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.29 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для FQP12P10
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
FQP12P10 даташит
fqp12p10.pdf
November 2013 FQP12P10 P-Channel QFET MOSFET -100 V, -11.5 A, 290 m Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect -11.5 A, -100 V, RDS(on) = 290 m (Max.) @ VGS = -10 V, transistors are produced using Fairchild s proprietary, ID = -5.75 A planar stripe, DMOS technology. This advanced Low Gate Charge (Typ. 21 nC) technology has been especial
fqp12p20.pdf
May 2000 TM QFET QFET QFET QFET 200V P-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect -11.5A, -200V, RDS(on) = 0.47 @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 31 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 30 pF) This advanced technology has bee
fqp12n65c fqpf12n65c.pdf
12N65 Series N-Channel MOSFET 12A, 650V, N H FQP12N65C H12N65P P TO-220AB 12N65 HAOHAI 50Pcs 1000Pcs 5000Pcs FQPF12N65C H12N65F F TO-220FP 12N65 Series Pin Assignment Features ID=12A Originative New Des
fqp12n60.pdf
April 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQP12N60 600V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 10.5A, 600V, RDS(on) = 0.7 @ VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 42 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 25 pF) This advanced technology has been
Другие MOSFET... FQB9P25 , FQD3P50 , FQD3P50TMF085 , FQD4N20 , FQP11P06 , FQD4N25 , FQD4P25 , FQD5N20L , IRFZ48N , FQD5N60C , FDS4675 , FQD5P10 , FQD5P20 , FQD6N25 , FQD6N40C , HUFA76419DF085 , FQD6N50C .
History: BSL316C | FQA70N15 | GC11N65K
History: BSL316C | FQA70N15 | GC11N65K
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
mje15032g | irf1404 | bc550 | irf9530 | 2n2222a transistor | irfp250 | irf640n datasheet | irf540 datasheet







