RUH60120M - описание и поиск аналогов

 

RUH60120M - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: RUH60120M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 165 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 48 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 745 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: DFN5060
 

 Аналог (замена) для RUH60120M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RUH60120M технические параметры

 ..1. Size:283K  ruichips
 ruh60120m.pdf pdf_icon

RUH60120M

RUH60120M N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 60V/120A, RDS (ON) =4m (Typ.)@VGS=10V G RDS (ON) =4.5m (Typ.)@VGS=4.5V S S S Uses Ruichips Advanced RUISGTTM Technology D Low Gate Charge Minimizing Switching Loss Ultra Low On-Resistance DD Excellent QgxRDS(on) product(FOM) DD 100% Avalanche Tested PIN1 Lead Free and Green Devic

 6.1. Size:321K  ruichips
 ruh60120l.pdf pdf_icon

RUH60120M

RUH60120L N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 60V/120A, D RDS (ON) =3.2m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =3.6m (Typ.)@VGS=4.5V Uses Ruichips Advanced RUISGTTM Technology Ultra Low On-Resistance Excellent QgxRDS(on) Product 100% Avalanche Tested 175 C Operating Temperature G Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant) S TO252 D Appli

 8.1. Size:384K  ruichips
 ruh60100m.pdf pdf_icon

RUH60120M

RUH60100M N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 60V/100A, RDS (ON) =2.6m (Typ.)@VGS=10V D D D D RDS (ON) =3.6m (Typ.)@VGS=4.5V Ultra Low On-Resistance Fast Switching Speed 100% avalanche tested G Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) S S S PIN1 PIN1 PDFN5060 D Applications LED backlighting On board power

 9.1. Size:225K  ruichips
 ruh6080m3-c.pdf pdf_icon

RUH60120M

RUH6080M3-C N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 60V/80A, RDS (ON) =5.3m (Typ.)@VGS=10V D D D RDS (ON) =6.5m (Typ.)@VGS=4.5V D Uses Ruichips Advanced RUISGTTM Technology Low Gate Charge Minimizing Switching Loss G Ultra Low On-Resistance S S Excellent QgxRDS(on) product(FOM) S 100% Avalanche Tested PIN1 Lead Free and Green De

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... RUH4022M3 , RUH4025M3 , RUH40300T , RUH40330T , RUH4040M3 , RUH40D40M , RUH40E12C , RUH60120L , 4435 , RUH6080M3-C , RUH6080R , RUH60D60M , RUH85100M-C , RUH85120M-C , RUH85120S , RUH85150R , RUH85210R .

History: IPB70N10SL-16 | FQPF9N50

 

 
Back to Top

 


 
.