RUH60120M - аналоги и даташиты транзистора

 

RUH60120M - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: RUH60120M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 165 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 48 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 745 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: DFN5060
 

 Аналог (замена) для RUH60120M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RUH60120M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:283K  ruichips
 ruh60120m.pdf pdf_icon

RUH60120M

RUH60120MN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 60V/120A,RDS (ON) =4m(Typ.)@VGS=10VGRDS (ON) =4.5m(Typ.)@VGS=4.5V SSS Uses Ruichips Advanced RUISGTTM TechnologyD Low Gate Charge Minimizing Switching Loss Ultra Low On-ResistanceDD Excellent QgxRDS(on) product(FOM)DD 100% Avalanche TestedPIN1 Lead Free and Green Devic

 6.1. Size:321K  ruichips
 ruh60120l.pdf pdf_icon

RUH60120M

RUH60120LN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 60V/120A,DRDS (ON) =3.2m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =3.6m(Typ.)@VGS=4.5V Uses Ruichips Advanced RUISGTTM Technology Ultra Low On-Resistance Excellent QgxRDS(on) Product 100% Avalanche Tested 175C Operating TemperatureG Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant) STO252DAppli

 8.1. Size:384K  ruichips
 ruh60100m.pdf pdf_icon

RUH60120M

RUH60100MN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 60V/100A,RDS (ON) =2.6m(Typ.)@VGS=10V DDDDRDS (ON) =3.6m(Typ.)@VGS=4.5V Ultra Low On-Resistance Fast Switching Speed 100% avalanche testedG Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)SSSPIN1PIN1PDFN5060DApplications LED backlighting On board power

 9.1. Size:225K  ruichips
 ruh6080m3-c.pdf pdf_icon

RUH60120M

RUH6080M3-CN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 60V/80A,RDS (ON) =5.3m(Typ.)@VGS=10V DDDRDS (ON) =6.5m(Typ.)@VGS=4.5VD Uses Ruichips Advanced RUISGTTM Technology Low Gate Charge Minimizing Switching LossG Ultra Low On-ResistanceSS Excellent QgxRDS(on) product(FOM) S 100% Avalanche TestedPIN1 Lead Free and Green De

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... RUH4022M3 , RUH4025M3 , RUH40300T , RUH40330T , RUH4040M3 , RUH40D40M , RUH40E12C , RUH60120L , 2SK3568 , RUH6080M3-C , RUH6080R , RUH60D60M , RUH85100M-C , RUH85120M-C , RUH85120S , RUH85150R , RUH85210R .

History: WMK11N80M3 | JMH65R110ASFD

 

 
Back to Top

 


 
.