RUH85100M-C - описание и поиск аналогов

 

Аналоги RUH85100M-C. Основные параметры


   Наименование производителя: RUH85100M-C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 32.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: DFN5060
 

 Аналог (замена) для RUH85100M-C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RUH85100M-C даташит

 ..1. Size:280K  ruichips
 ruh85100m-c.pdf pdf_icon

RUH85100M-C

RUH85100M-C N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 85V/100A, RDS (ON) =6.5m (Typ.)@VGS=10V D RDS (ON) =9.5m (Typ.)@VGS=4.5V D Ultra Low On-Resistance D Fast Switching Speed D 100% Avalanche Tested Uses Ruichips advanced RUISGTTM technology G Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant) S S S PIN1 DFN5060 D Applications Syn

 8.1. Size:279K  ruichips
 ruh85120m-c.pdf pdf_icon

RUH85100M-C

RUH85120M-C N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 85V/120A, G RDS (ON) =4m (Typ.)@VGS=10V S S RDS (ON) =5.5m (Typ.)@VGS=4.5V S D Ultra Low On-Resistance Fast Switching Speed DD 100% Avalanche Tested DD Uses Ruichips advanced SGTTM technology Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant) PIN1 DFN5060 D Applications Synchronou

 8.2. Size:375K  ruichips
 ruh85150r.pdf pdf_icon

RUH85100M-C

RUH85150R N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 85V/150A, RDS (ON) =3.4m (Typ.)@VGS=10V Uses Ruichips advanced RUISGTTM Technology Ultra Low On-Resistance Excellent QgxRDS(on) Product 100% Avalanche Tested 100% A l h T t d 175 C Operating Temperature Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant) G D S TO220 D D D D D D Appl

 8.3. Size:687K  ruichips
 ruh85120s.pdf pdf_icon

RUH85100M-C

RUH85120S N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 85V/120A, D RDS (ON) =4.6m (Typ.)@VGS=10V Uses Ruichips advanced SGTTM technology Ultra Low On-Resistance Excellent QgxRDS(on) Product 100% Avalanche Tested 100% A l h T t d Fast Switching and Fully Avalanche Rated Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant) G S TO263 D D D D D

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... RUH4040M3 , RUH40D40M , RUH40E12C , RUH60120L , RUH60120M , RUH6080M3-C , RUH6080R , RUH60D60M , 13N50 , RUH85120M-C , RUH85120S , RUH85150R , RUH85210R , RUH85230S , RUH85350T , RUQ4040M2 , H0110D .

 

 
Back to Top

 


 
.