RUH85100M-C datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RUH85100M-C  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 85 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: DFN5060

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для RUH85100M-C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RUH85100M-C даташит

 ..1. Size:280K  ruichips
 ruh85100m-c.pdf pdf_icon

RUH85100M-C

RUH85100M-C N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 85V/100A, RDS (ON) =6.5m (Typ.)@VGS=10V D RDS (ON) =9.5m (Typ.)@VGS=4.5V D Ultra Low On-Resistance D Fast Switching Speed D 100% Avalanche Tested Uses Ruichips advanced RUISGTTM technology G Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant) S S S PIN1 DFN5060 D Applications Syn

 8.1. Size:279K  ruichips
 ruh85120m-c.pdf pdf_icon

RUH85100M-C

RUH85120M-C N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 85V/120A, G RDS (ON) =4m (Typ.)@VGS=10V S S RDS (ON) =5.5m (Typ.)@VGS=4.5V S D Ultra Low On-Resistance Fast Switching Speed DD 100% Avalanche Tested DD Uses Ruichips advanced SGTTM technology Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant) PIN1 DFN5060 D Applications Synchronou

 8.2. Size:375K  ruichips
 ruh85150r.pdf pdf_icon

RUH85100M-C

RUH85150R N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 85V/150A, RDS (ON) =3.4m (Typ.)@VGS=10V Uses Ruichips advanced RUISGTTM Technology Ultra Low On-Resistance Excellent QgxRDS(on) Product 100% Avalanche Tested 100% A l h T t d 175 C Operating Temperature Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant) G D S TO220 D D D D D D Appl

 8.3. Size:687K  ruichips
 ruh85120s.pdf pdf_icon

RUH85100M-C

RUH85120S N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 85V/120A, D RDS (ON) =4.6m (Typ.)@VGS=10V Uses Ruichips advanced SGTTM technology Ultra Low On-Resistance Excellent QgxRDS(on) Product 100% Avalanche Tested 100% A l h T t d Fast Switching and Fully Avalanche Rated Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant) G S TO263 D D D D D

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RUH4040M3, RUH40D40M, RUH40E12C, RUH60120L, RUH60120M, RUH6080M3-C, RUH6080R, RUH60D60M, SPP20N60C3, RUH85120M-C, RUH85120S, RUH85150R, RUH85210R, RUH85230S, RUH85350T, RUQ4040M2, H0110D