Справочник MOSFET. RUH85210R

 

RUH85210R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RUH85210R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 320 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 210 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 51 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1750 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для RUH85210R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RUH85210R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:376K  ruichips
 ruh85210r.pdf pdf_icon

RUH85210R

RUH85210RN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 85V/210A, RDS (ON) =2.8m(Typ.)@VGS=10V Uses Ruichips advanced SGTTM Technology Ultra Low On-Resistance Excellent QgxRDS(on) Product 100% Avalanche Tested100% A l h T t d Fast Switching and Fully Avalanche Rated Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant)GDSTO220DDDDD

 8.1. Size:315K  ruichips
 ruh85230s.pdf pdf_icon

RUH85210R

RUH85230SN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 85V/230A,D RDS (ON) =2.5m(Typ.)@VGS=10V Uses Ruichips advanced RUISGTTM Technology Ultra Low On-Resistance Excellent QgxRDS(on) Product 100% Avalanche Tested100% A l h T t d 175C Operating Temperature Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant)GSTO263DDDDDDAppl

 9.1. Size:279K  ruichips
 ruh85120m-c.pdf pdf_icon

RUH85210R

RUH85120M-CN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 85V/120A,GRDS (ON) =4m(Typ.)@VGS=10VSSRDS (ON) =5.5m(Typ.)@VGS=4.5V SD Ultra Low On-Resistance Fast Switching SpeedDD 100% Avalanche TestedDD Uses Ruichips advanced SGTTM technology Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant)PIN1DFN5060DApplications Synchronou

 9.2. Size:375K  ruichips
 ruh85150r.pdf pdf_icon

RUH85210R

RUH85150RN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 85V/150A, RDS (ON) =3.4m(Typ.)@VGS=10V Uses Ruichips advanced RUISGTTM Technology Ultra Low On-Resistance Excellent QgxRDS(on) Product 100% Avalanche Tested100% A l h T t d 175C Operating Temperature Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant)GDSTO220DDDDDDAppl

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... RUH60120M , RUH6080M3-C , RUH6080R , RUH60D60M , RUH85100M-C , RUH85120M-C , RUH85120S , RUH85150R , IRF530 , RUH85230S , RUH85350T , RUQ4040M2 , H0110D , H0110K , H01H14B , H01H14D , H01P13D .

History: PSMN7R6-60BS | US5U2

 

 
Back to Top

 


 
.