Справочник MOSFET. H0110D

 

H0110D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: H0110D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для H0110D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

H0110D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:338K  cn haohai electr
 h0110d h0110k.pdf pdf_icon

H0110D

H0110D/KN-Channel MOSFET10A,100V, N H H0110D DPAKNCE0110K HAOHAI 2500Pcs 2500PcsH0110K TO-252H0110D Series Pin AssignmentID=9.6ADESCRIPTIONVDS=100VThe H0110DH0110KRDS(on)=105muses advanced trench t

Другие MOSFET... RUH85100M-C , RUH85120M-C , RUH85120S , RUH85150R , RUH85210R , RUH85230S , RUH85350T , RUQ4040M2 , IRLB4132 , H0110K , H01H14B , H01H14D , H01P13D , H01P13K , H10N60P , H10N65P , H12N60P .

History: MTP2P50E | SM6012NSU | IXTH10N100D2 | IXFH42N20 | MPVA20N50B

 

 
Back to Top

 


 
.