H0110D - описание и поиск аналогов

 

H0110D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: H0110D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для H0110D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

H0110D даташит

 ..1. Size:338K  cn haohai electr
 h0110d h0110k.pdf pdf_icon

H0110D

H0110D/K N-Channel MOSFET 10A,100V, N H H0110D DPAK NCE0110K HAOHAI 2500Pcs 2500Pcs H0110K TO-252 H0110D Series Pin Assignment ID=9.6A DESCRIPTION VDS=100V The H0110D H0110K RDS(on)=105m uses advanced trench t

Другие MOSFET... RUH85100M-C , RUH85120M-C , RUH85120S , RUH85150R , RUH85210R , RUH85230S , RUH85350T , RUQ4040M2 , CS150N03A8 , H0110K , H01H14B , H01H14D , H01P13D , H01P13K , H10N60P , H10N65P , H12N60P .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.