H01H14B - описание и поиск аналогов

 

H01H14B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: H01H14B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 330 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 140 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 914 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0068 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для H01H14B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

H01H14B даташит

 ..1. Size:406K  cn haohai electr
 h01h14b h01h14d.pdf pdf_icon

H01H14B

H01H14D/B N-Channel MOSFET 140A,100V, N H TO-263 H01H14B NCE01H14D HAOHAI 800Pcs 8000Pcs H01H14D D2PAK H01H14B Series Pin Assignment ID=140A DESCRIPTION VDS=100V The H01H14B H01H14D RDS(on)=5.5m uses advanced t

Другие MOSFET... RUH85120S , RUH85150R , RUH85210R , RUH85230S , RUH85350T , RUQ4040M2 , H0110D , H0110K , AON7506 , H01H14D , H01P13D , H01P13K , H10N60P , H10N65P , H12N60P , H12N65P , H15N10U .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.