Справочник MOSFET. H01H14B

 

H01H14B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: H01H14B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 330 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 140 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 120 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 914 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0068 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для H01H14B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

H01H14B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:406K  cn haohai electr
 h01h14b h01h14d.pdf pdf_icon

H01H14B

H01H14D/BN-Channel MOSFET140A,100V, N H TO-263H01H14BNCE01H14D HAOHAI 800Pcs 8000PcsH01H14DD2PAKH01H14B Series Pin AssignmentID=140ADESCRIPTIONVDS=100VThe H01H14BH01H14DRDS(on)=5.5muses advanced t

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFP460 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: FDD3672

 

 
Back to Top

 


 
.