H2302A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: H2302A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 51 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для H2302A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

H2302A даташит

 ..1. Size:170K  cn haohai electr
 h2302a.pdf pdf_icon

H2302A

HAOHAI ELECTRONICS H2302A 4A, 20V, N-Channel MOSFET Application Load Switch Features PWM Application RDS(ON)

 9.1. Size:88K  hsmc
 h2302n.pdf pdf_icon

H2302A

 9.2. Size:482K  cn haohai electr
 h2302.pdf pdf_icon

H2302A

HAOHAI ELECTRONICS H2302 2A 20V N-Channel MOSFET APPLICATIONS Load switch for portable Features DC/DC converter RDS(ON) 60m @ VGS=4.5V FEATURE RDS(ON) 100m @ VGS=2.5V High Density Cell Design For Ultra Industry-standard pinout SOT-23 Package Low On-Resistance Compatible with Existing Surface MountTechniques

Другие IGBT... H12N60P, H12N65P, H15N10U, H15N10D, H1N60U, H1N60D, H2301, H2302, 4N60, H2N60P, H2N60F, H2N60U, H2N60D, H2N65U, H2N65D, H4N60P, H4N60F