FQD5P20 - аналоги и даташиты транзистора

 

FQD5P20 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FQD5P20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO252 DPAK
 

 Аналог (замена) для FQD5P20

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQD5P20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:657K  fairchild semi
 fqd5p20tf fqd5p20tm fqd5p20 fqu5p20 fqu5p20tu.pdf pdf_icon

FQD5P20

October 2008QFETFQD5P20 / FQU5P20200V P-Channel MOSFETFeaturesGeneral Description -3.7A, -200V, RDS(on) = 1.4 @VGS = -10 VThese P-Channel enhancement mode power field effect Low gate charge ( typical 10 nC)transistors are produced using Fairchilds proprietary, Low Crss ( typical 12 pF)planar stripe, DMOS technology. Fast switchingThis advanced techn

 9.1. Size:705K  fairchild semi
 fqd5p10tf fqd5p10tm fqd5p10 fqu5p10.pdf pdf_icon

FQD5P20

October 2008QFETFQD5P10 / FQU5P10 100V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -3.6A, -100V, RDS(on) = 1.05 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 6.3 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 18 pF)This advanced technology has been espec

Другие MOSFET... FQP11P06 , FQD4N25 , FQD4P25 , FQD5N20L , FQP12P10 , FQD5N60C , FDS4675 , FQD5P10 , AON7403 , FQD6N25 , FQD6N40C , HUFA76419DF085 , FQD6N50C , FQD7N10L , HUFA75645S3S , FQD7N20L , IRFS450B .

History: FQD5N60C | 2SK147 | 2N7272H4 | FS70UM-2 | FQD4P25 | IPW65R190E6

 

 
Back to Top

 


 
.