Справочник MOSFET. H4N60F

 

H4N60F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: H4N60F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для H4N60F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

H4N60F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:477K  cn haohai electr
 h4n60p h4n60f.pdf pdf_icon

H4N60F

4N60 SeriesN-Channel MOSFET4A, 600V, N H FQP4N60C H4N60P P: TO-220ABHAOHAI 50Pcs 1000Pcs 5000Pcs4N60FQPF4N60C H4N60F F: TO-220FP4N60 Series Pin AssignmentID=4AAPPLICATIONELECTRONIC BALLAST

 9.1. Size:178K  1
 ssp4n55 ssp4n60 ssh4n55 ssh4n60.pdf pdf_icon

H4N60F

 9.2. Size:441K  semelab
 ssh4n55 ssh4n60.pdf pdf_icon

H4N60F

SSH4N55 PCB24

 9.3. Size:1293K  lonten
 lnc4n60 lnd4n60 lng4n60 lnh4n60 lnf4n60.pdf pdf_icon

H4N60F

LNC4N60\LND4N60\LNG4N60\LNH4N60\LNF4N60Lonten N-channel 600V, 4A Power MOSFETDescription Product SummaryThe Power MOSFET is fabricated using the V 600VDSSadvanced planar VDMOS technology. The I 4ADresulting device has low conduction resistance, R 2.4DS(on),maxsuperior switching performance and high avalance Q 12.8 nCg,typenergy.Features Low RDS(on) Low gate

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... H2302A , H2N60P , H2N60F , H2N60U , H2N60D , H2N65U , H2N65D , H4N60P , K2611 , H4N60U , H4N60D , H4N65U , H4N65D , H5N50U , H5N50D , H5N60P , H5N60F .

History: FKBA3004 | TMP4N90 | SIHF530 | APT30M40JVFR | 2N6799-SM | H5N2504DS | FMV05N60E

 

 
Back to Top

 


 
.