H4N60F - описание и поиск аналогов

 

H4N60F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: H4N60F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для H4N60F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

H4N60F даташит

 ..1. Size:477K  cn haohai electr
h4n60p h4n60f.pdfpdf_icon

H4N60F

4N60 Series N-Channel MOSFET 4A, 600V, N H FQP4N60C H4N60P P TO-220AB HAOHAI 50Pcs 1000Pcs 5000Pcs 4N60 FQPF4N60C H4N60F F TO-220FP 4N60 Series Pin Assignment ID=4A APPLICATION ELECTRONIC BALLAST

 9.1. Size:178K  1
ssp4n55 ssp4n60 ssh4n55 ssh4n60.pdfpdf_icon

H4N60F

 9.2. Size:441K  semelab
ssh4n55 ssh4n60.pdfpdf_icon

H4N60F

SSH4N55 PCB 24

 9.3. Size:1293K  lonten
lnc4n60 lnd4n60 lng4n60 lnh4n60 lnf4n60.pdfpdf_icon

H4N60F

LNC4N60 LND4N60 LNG4N60 LNH4N60 LNF4N60 Lonten N-channel 600V, 4A Power MOSFET Description Product Summary The Power MOSFET is fabricated using the V 600V DSS advanced planar VDMOS technology. The I 4A D resulting device has low conduction resistance, R 2.4 DS(on),max superior switching performance and high avalance Q 12.8 nC g,typ energy. Features Low R DS(on) Low gate

Другие MOSFET... H2302A , H2N60P , H2N60F , H2N60U , H2N60D , H2N65U , H2N65D , H4N60P , 8N60 , H4N60U , H4N60D , H4N65U , H4N65D , H5N50U , H5N50D , H5N60P , H5N60F .

History: SMF7N60 | ME80N08A-G | JMSL0315AP | IAUC120N04S6N013 | MEE4294T2 | IPP051N15N5 | IAUC60N04S6N044

 

 

 

 

↑ Back to Top
.