Справочник MOSFET. H4N65U

 

H4N65U Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: H4N65U
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

H4N65U Datasheet (PDF)

 ..1. Size:331K  cn haohai electr
 h4n65u h4n65d.pdf pdf_icon

H4N65U

4N65 SeriesN-Channel MOSFET4A, 650V, N H FQU4N65C H4N65U U: TO-251 80 / 4Kpcs/ 24Kpcs HAOHAI4N65FQD4N65C H4N65D D: TO-252 25Kpcs 2.5K/ 5Kpcs/ 4N65 Series Pin Assignment3-Lead Plastic TO-251 DESCRIPTIONPackage Code: U The H4N65 is a high voltage power MOSFET designed to have betterPin 1: Gatecharacteristics,

 9.1. Size:1098K  lonten
 lnc4n65 lnd4n65 lng4n65 lnh4n65 lnf4n65.pdf pdf_icon

H4N65U

LNC4N65\LND4N65\LNG4N65\LNH4N65\LNF4N65 Lonten N-channel 650V, 4A Power MOSFET Description Product Summary The Power MOSFET is fabricated using the VDSS 650V advanced planar VDMOS technology. The ID 4A resulting device has low conduction resistance, RDS(on),max 2.70 superior switching performance and high Qg,typ 12 nC avalance energy. Features Low RDS(on) Low gate

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: FRF9250D | STB10NK60ZT4 | NCEAP016N10LL | BUK455-100B | SI7413DN | FDG6320C | SSF65R420S2

 

 
Back to Top

 


 
.