H4N65D - описание и поиск аналогов

 

H4N65D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: H4N65D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для H4N65D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

H4N65D даташит

 ..1. Size:331K  cn haohai electr
 h4n65u h4n65d.pdf pdf_icon

H4N65D

4N65 Series N-Channel MOSFET 4A, 650V, N H FQU4N65C H4N65U U TO-251 80 / 4Kpcs/ 24Kpcs HAOHAI 4N65 FQD4N65C H4N65D D TO-252 25Kpcs 2.5K/ 5Kpcs/ 4N65 Series Pin Assignment 3-Lead Plastic TO-251 DESCRIPTION Package Code U The H4N65 is a high voltage power MOSFET designed to have better Pin 1 Gate characteristics,

 9.1. Size:1098K  lonten
 lnc4n65 lnd4n65 lng4n65 lnh4n65 lnf4n65.pdf pdf_icon

H4N65D

LNC4N65 LND4N65 LNG4N65 LNH4N65 LNF4N65 Lonten N-channel 650V, 4A Power MOSFET Description Product Summary The Power MOSFET is fabricated using the VDSS 650V advanced planar VDMOS technology. The ID 4A resulting device has low conduction resistance, RDS(on),max 2.70 superior switching performance and high Qg,typ 12 nC avalance energy. Features Low RDS(on) Low gate

Другие MOSFET... H2N60D , H2N65U , H2N65D , H4N60P , H4N60F , H4N60U , H4N60D , H4N65U , IRFB31N20D , H5N50U , H5N50D , H5N60P , H5N60F , H5N60U , H5N60D , H6N70P , H6N70F .

History: AP3C023AMT | WMR07P03TS | RW1E025RP

 

 

 

 

↑ Back to Top
.