Справочник MOSFET. HLML6401

 

HLML6401 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HLML6401
   Маркировка: 1F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 18 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.95 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HLML6401 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:281K  cn haohai electr
 hlml6401.pdf pdf_icon

HLML6401

HLML6401P-Channel MOSFETs-4.3A,-12VP P HLML6401P-Channel Enhancement-Mode MOS FETsP-ChannelEnhancementFeaturesMode MOS FETs-12V, -4.3A, RDS(ON)=50m @ VGS=-4.5VHigh dense cell design for extremely low RDS(ON)Rugged and reliableL

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: AP99T03GS-HF

 

 
Back to Top

 


 
.