HLML6401 - описание и поиск аналогов

 

HLML6401. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HLML6401

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 18 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для HLML6401

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HLML6401 даташит

 ..1. Size:281K  cn haohai electr
 hlml6401.pdf pdf_icon

HLML6401

HLML6401 P-Channel MOSFETs -4.3A,-12V P P HLML6401 P-Channel Enhancement-Mode MOS FETs P-Channel Enhancement Features Mode MOS FETs -12V, -4.3A, RDS(ON)=50m @ VGS=-4.5V High dense cell design for extremely low RDS(ON) Rugged and reliable L

Другие MOSFET... H8N65P , H8N65F , H90N71P , H90N71F , HIRFZ24NP , HIRFZ24NF , HIRFZ44N , HIRFZ44F , IRF740 , HMDN3010D , HNM2302 , HNM2302ALB , HNM7002 , HNM7002E , HPB068NE7STA , HPD025N03STA , HPD026N02STA .

History: HNM7002

 

 

 

 

↑ Back to Top
.