Справочник MOSFET. HLML6401

 

HLML6401 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HLML6401
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 18 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для HLML6401

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HLML6401 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:281K  cn haohai electr
 hlml6401.pdf pdf_icon

HLML6401

HLML6401P-Channel MOSFETs-4.3A,-12VP P HLML6401P-Channel Enhancement-Mode MOS FETsP-ChannelEnhancementFeaturesMode MOS FETs-12V, -4.3A, RDS(ON)=50m @ VGS=-4.5VHigh dense cell design for extremely low RDS(ON)Rugged and reliableL

Другие MOSFET... H8N65P , H8N65F , H90N71P , H90N71F , HIRFZ24NP , HIRFZ24NF , HIRFZ44N , HIRFZ44F , IRF740 , HMDN3010D , HNM2302 , HNM2302ALB , HNM7002 , HNM7002E , HPB068NE7STA , HPD025N03STA , HPD026N02STA .

History: SWF7N70D

 

 
Back to Top

 


 
.