Справочник MOSFET. HLML6401

 

HLML6401 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HLML6401
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 18 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23

 Аналог (замена) для HLML6401

 

 

HLML6401 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:281K  cn haohai electr
 hlml6401.pdf

HLML6401 HLML6401

HLML6401P-Channel MOSFETs-4.3A,-12VP P HLML6401P-Channel Enhancement-Mode MOS FETsP-ChannelEnhancementFeaturesMode MOS FETs-12V, -4.3A, RDS(ON)=50m @ VGS=-4.5VHigh dense cell design for extremely low RDS(ON)Rugged and reliableL

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top