HPD4006CTA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HPD4006CTA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 3.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 66 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для HPD4006CTA
HPD4006CTA Datasheet (PDF)
hpd4006cta hpb400n06cta hpp400n06cta.pdf

HPD4006CTATO-252HPB400N06CTATO-263HAOHAI ELECTRONICSHPP400N06CTATO-220Product Summary27A, 60VVDS60 VN-CHANNEL POWER MOSFETRDS(ON) Max.40 mFeaturesAdvanced process technologyID27 AUltra low On-Resistance175 OperatingTemperatureFast Switching2.DrainRepetitiveAvalancheAllowed up toTjmaxLead-Free221.Gate1 1123 33TO-2
hpd4004sta.pdf

HPD4004STA40V, 120AProduct SummaryN-channel Enhancement Mode Power MOSFETVDSRDS(ON)
Другие MOSFET... HPD025N03STA , HPD026N02STA , HPD032N02STA , HPD045N03CTA , HPP045N03CTA , HPD160N06STA , HPD180PNE1DTA , HPD4004STA , IRF3710 , HPB400N06CTA , HPP400N06CTA , HPM2301 , HPM2305 , HPM2623 , HPM3401 , HPM3401A , HPM3415 .
History: OSG60R1K2DF | PTP4N65 | VN66AD | LBSS84LT1G | 2SK3681-01 | 2SK2329S
History: OSG60R1K2DF | PTP4N65 | VN66AD | LBSS84LT1G | 2SK3681-01 | 2SK2329S



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
c102 transistor | bt152 datasheet | 2sa1302 datasheet | mpsa13 transistor equivalent | кт817г характеристики | 2sc1972 | 2n5088 transistor equivalent | 2n5884