Справочник MOSFET. HPD4006CTA

 

HPD4006CTA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HPD4006CTA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 13 nC
   trⓘ - Время нарастания: 3.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 66 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для HPD4006CTA

 

 

HPD4006CTA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:168K  cn haohai electr
 hpd4006cta hpb400n06cta hpp400n06cta.pdf

HPD4006CTA HPD4006CTA

HPD4006CTATO-252HPB400N06CTATO-263HAOHAI ELECTRONICSHPP400N06CTATO-220Product Summary27A, 60VVDS60 VN-CHANNEL POWER MOSFETRDS(ON) Max.40 mFeaturesAdvanced process technologyID27 AUltra low On-Resistance175 OperatingTemperatureFast Switching2.DrainRepetitiveAvalancheAllowed up toTjmaxLead-Free221.Gate1 1123 33TO-2

 8.1. Size:770K  cn haohai electr
 hpd4004sta.pdf

HPD4006CTA HPD4006CTA

HPD4004STA40V, 120AProduct SummaryN-channel Enhancement Mode Power MOSFETVDSRDS(ON)

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top