HPB400N06CTA. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: HPB400N06CTA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 3.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 66 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для HPB400N06CTA
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
HPB400N06CTA даташит
hpd4006cta hpb400n06cta hpp400n06cta.pdf
HPD4006CTA TO-252 HPB400N06CTA TO-263 HAOHAI ELECTRONICS HPP400N06CTA TO-220 Product Summary 27A, 60V VDS 60 V N-CHANNEL POWER MOSFET RDS(ON) Max. 40 m Features Advanced process technology ID 27 A Ultra low On-Resistance 175 OperatingTemperature Fast Switching 2.Drain RepetitiveAvalancheAllowed up toTjmax Lead-Free 2 2 1.Gate 1 1 1 2 3 3 3 TO-2
Другие MOSFET... HPD026N02STA , HPD032N02STA , HPD045N03CTA , HPP045N03CTA , HPD160N06STA , HPD180PNE1DTA , HPD4004STA , HPD4006CTA , IRF3710 , HPP400N06CTA , HPM2301 , HPM2305 , HPM2623 , HPM3401 , HPM3401A , HPM3415 , HPMB84A .
History: IPD038N06N3 | FQI4N80 | MDF11N60TH
History: IPD038N06N3 | FQI4N80 | MDF11N60TH
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
Popular searches
bt152 datasheet | 2sa1302 datasheet | mpsa13 transistor equivalent | кт817г характеристики | 2sc1972 | 2n5088 transistor equivalent | 2n5884 | bc640

