HPM2305 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HPM2305
Маркировка: A5
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.9 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
HPM2305 Datasheet (PDF)
hpm2305.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
HPM2305P-Channel MOSFETs-3.9A,-20VP P HPM2305P-Channel Enhancement-Mode MOS FETs SMDP-ChannelEnhancementFeaturesMode MOS FETs-20V, -3.9A, RDS(ON)=55m @ VGS=-4.5VHigh dense cell design for extremely low RDS(ON)Rugged and reliable
hpm2301.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
HPM2301P-Channel MOSFETs-2.8A,-20VP P HPM2301P-Channel Enhancement-Mode MOS FETsP-ChannelEnhancementFeaturesMode MOS FETs-20V, -2.8A, RDS(ON)=100m @ VGS=-10VHigh dense cell design for extremely low RDS(ON)Rugged and reliableLea
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
![HPM2305](https://alltransistors.com/images/us.png)
![HPM2305](https://alltransistors.com/images/es.png)
![HPM2305](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DAMIA1100N100 | DAMI660N60 | DAMI560N100 | DAMI500N60 | DAMI450N100 | DAMI360N150 | DAMI330N60 | DAMI320N100 | DAMI300N150 | DAMI280N200 | DAMI220N200 | DAMI220N150 | DAMI160N200 | DAMI160N100 | DAMH75N500H | DAMH560N100