Справочник MOSFET. HPM3401

 

HPM3401 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HPM3401
   Маркировка: B1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23

 Аналог (замена) для HPM3401

 

 

HPM3401 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:283K  cn haohai electr
 hpm3401.pdf

HPM3401 HPM3401

HPM3401P-Channel MOSFETs-3.8A,-30VP PHPM3401P-Channel Enhancement-Mode MOS FETsP-ChannelEnhancementFeaturesMode MOS FETs-30V, -3.8A, RDS(ON)=50m @ VGS=-10VHigh dense cell design for extremely low RDS(ON)Rugged and reliableLead f

 0.1. Size:282K  cn haohai electr
 hpm3401a.pdf

HPM3401 HPM3401

HPM3401AP-Channel MOSFETs-4.2A,-30VPP HPM3401AP-Channel Enhancement-Mode MOS FETsP-ChannelEnhancementFeaturesMode MOS FETs-30V, -4.2A, RDS(ON)=53m @ VGS=-4.5VHigh dense cell design for extremely low RDS(ON)Rugged and reliableLe

 9.1. Size:282K  cn haohai electr
 hpm3415.pdf

HPM3401 HPM3401

HPM3415P-Channel MOSFETs-4.0A,-30VP P HPM3415P-Channel Enhancement-Mode MOS FETsP-ChannelEnhancementFeaturesMode MOS FETs-20V, -4.0A, RDS(ON)=35m @ VGS=-4.5VHigh dense cell design for extremely low RDS(ON)Rugged and reliableLea

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top