Справочник MOSFET. HPM3401

 

HPM3401 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HPM3401
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для HPM3401

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HPM3401 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:283K  cn haohai electr
 hpm3401.pdf pdf_icon

HPM3401

HPM3401P-Channel MOSFETs-3.8A,-30VP PHPM3401P-Channel Enhancement-Mode MOS FETsP-ChannelEnhancementFeaturesMode MOS FETs-30V, -3.8A, RDS(ON)=50m @ VGS=-10VHigh dense cell design for extremely low RDS(ON)Rugged and reliableLead f

 0.1. Size:282K  cn haohai electr
 hpm3401a.pdf pdf_icon

HPM3401

HPM3401AP-Channel MOSFETs-4.2A,-30VPP HPM3401AP-Channel Enhancement-Mode MOS FETsP-ChannelEnhancementFeaturesMode MOS FETs-30V, -4.2A, RDS(ON)=53m @ VGS=-4.5VHigh dense cell design for extremely low RDS(ON)Rugged and reliableLe

 9.1. Size:282K  cn haohai electr
 hpm3415.pdf pdf_icon

HPM3401

HPM3415P-Channel MOSFETs-4.0A,-30VP P HPM3415P-Channel Enhancement-Mode MOS FETsP-ChannelEnhancementFeaturesMode MOS FETs-20V, -4.0A, RDS(ON)=35m @ VGS=-4.5VHigh dense cell design for extremely low RDS(ON)Rugged and reliableLea

Другие MOSFET... HPD180PNE1DTA , HPD4004STA , HPD4006CTA , HPB400N06CTA , HPP400N06CTA , HPM2301 , HPM2305 , HPM2623 , IRFB4115 , HPM3401A , HPM3415 , HPMB84A , HPP080NE5SPA , HPP120N08STA , HPW080NE5SPA , HPW750N20SPA , HQB7N65C .

History: MS5N60 | IRF1503PBF | MTM12N10 | HIRF730F | SI4888DY | SML40B37 | HRLD40N04K

 

 
Back to Top

 


 
.