HPM3401 - описание и поиск аналогов

 

HPM3401. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HPM3401

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для HPM3401

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HPM3401 даташит

 ..1. Size:283K  cn haohai electr
 hpm3401.pdf pdf_icon

HPM3401

HPM3401 P-Channel MOSFETs -3.8A,-30V P P HPM3401 P-Channel Enhancement-Mode MOS FETs P-Channel Enhancement Features Mode MOS FETs -30V, -3.8A, RDS(ON)=50m @ VGS=-10V High dense cell design for extremely low RDS(ON) Rugged and reliable Lead f

 0.1. Size:282K  cn haohai electr
 hpm3401a.pdf pdf_icon

HPM3401

HPM3401A P-Channel MOSFETs -4.2A,-30V P P HPM3401A P-Channel Enhancement-Mode MOS FETs P-Channel Enhancement Features Mode MOS FETs -30V, -4.2A, RDS(ON)=53m @ VGS=-4.5V High dense cell design for extremely low RDS(ON) Rugged and reliable Le

 9.1. Size:282K  cn haohai electr
 hpm3415.pdf pdf_icon

HPM3401

HPM3415 P-Channel MOSFETs -4.0A,-30V P P HPM3415 P-Channel Enhancement-Mode MOS FETs P-Channel Enhancement Features Mode MOS FETs -20V, -4.0A, RDS(ON)=35m @ VGS=-4.5V High dense cell design for extremely low RDS(ON) Rugged and reliable Lea

Другие MOSFET... HPD180PNE1DTA , HPD4004STA , HPD4006CTA , HPB400N06CTA , HPP400N06CTA , HPM2301 , HPM2305 , HPM2623 , P55NF06 , HPM3401A , HPM3415 , HPMB84A , HPP080NE5SPA , HPP120N08STA , HPW080NE5SPA , HPW750N20SPA , HQB7N65C .

History: BUK6507-55C

 

 

 

 

↑ Back to Top
.