Справочник MOSFET. HUFA75645S3S

 

HUFA75645S3S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HUFA75645S3S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 310 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 238 nC
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: TO263 D2PAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HUFA75645S3S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:352K  fairchild semi
 hufa75645s3s.pdf pdf_icon

HUFA75645S3S

HUFA75645S3SData Sheet December 2001N-Channel UltraFET Power MOSFET100 V, 75 A, 14 mPackaging Features Ultra Low On-ResistanceJEDEC TO-263AB- rDS(ON) = 0.014, VGS = 10VDRAIN Simulation Models (FLANGE)- Temperature Compensated PSPICE and SABERElectrical ModelsGATE- Spice and Saber Thermal Impedance ModelsSOURCE- www.fairchild.com Peak Current

 5.1. Size:152K  fairchild semi
 hufa75645p3.pdf pdf_icon

HUFA75645S3S

HUFA75645P3, HUFA75645S3SData Sheet December 200175A, 100V, 0.014 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETsPackagingJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263ABFeaturesSOURCE DRAINDRAIN Ultra Low On-Resistance (FLANGE)GATE- rDS(ON) = 0.014, VGS = 10VGATE Simulation ModelsSOURCE- Temperature Compensated PSPICE and SABER Electrical ModelsDRAIN- Spice and Saber

 7.1. Size:200K  fairchild semi
 hufa75637p3 hufa75637s3s hufa75637s3st.pdf pdf_icon

HUFA75645S3S

HUFA75637P3, HUFA75637S3SData Sheet December 200144A, 100V, 0.030 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETPackagingJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263ABFeaturesSOURCEDRAINDRAIN Ultra Low On-Resistance (FLANGE)GATE- rDS(ON) = 0.030, VGS = 10VGATE Simulation ModelsSOURCE - Temperature Compensated PSPICE and SABER Electrical ModelsDRAIN (FLANGE) - Spice a

 7.2. Size:196K  fairchild semi
 hufa75617d3s hufa75617d3st.pdf pdf_icon

HUFA75645S3S

HUFA75617D3, HUFA75617D3SData Sheet December 200116A, 100V, 0.090 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETsPackagingJEDEC TO-251AA JEDEC TO-252AAFeatures Ultra Low On-ResistanceSOURCEDRAINDRAIN- rDS(ON) = 0.090, VGS = 10VGATE (FLANGE) Simulation Models- Temperature Compensated PSPICE and SABER GATEElectrical ModelsDRAIN SOURCE- Spice and SABER

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FDS4675 , FQD5P10 , FQD5P20 , FQD6N25 , FQD6N40C , HUFA76419DF085 , FQD6N50C , FQD7N10L , AO4468 , FQD7N20L , IRFS450B , FQD7N30 , FQD7P06 , FQD7P20 , FQD8P10 , FQD8P10TMF085 , FQD9N25 .

History: KF7N60F | IRF3707SPBF | SSP6N90A | TK39A60W | SUM110P06-07L

 

 
Back to Top

 


 
.