NCE18ND11U - описание и поиск аналогов

 

NCE18ND11U. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NCE18ND11U

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 18 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0074 Ohm

Тип корпуса: DFN2X3-6L

Аналог (замена) для NCE18ND11U

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE18ND11U даташит

 ..1. Size:295K  ncepower
nce18nd11u.pdfpdf_icon

NCE18ND11U

NCE18ND11U http //www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE18ND11U uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =18V,ID =11A RDS(ON)

 9.1. Size:384K  ncepower
nce1810ak.pdfpdf_icon

NCE18ND11U

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE1810AK NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE1810AK uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =180V,ID =10A Schematic diagram RDS(ON)

 9.2. Size:388K  ncepower
nce1826k.pdfpdf_icon

NCE18ND11U

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE1826K NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE1826K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =185V,ID =26A RDS(ON)

 9.3. Size:331K  ncepower
nce1805s.pdfpdf_icon

NCE18ND11U

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE1805S NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE1805S uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic diagram VDS =185V,ID =5A RDS(ON)

Другие MOSFET... NCE025N30K , NCE035N30G , NCE035N30K , NCE042N30K , NCE048N30Q , NCE1220SP , NCE1227SP , NCE1230SP , 12N60 , NCE2004NE , NCE2006NE , NCE2007NS , NCE2008E , NCE2008N , NCE20ND06 , NCE20ND07U , NCE20ND08U .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.