NCE30ND07BS - аналоги и даташиты транзистора

 

NCE30ND07BS - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: NCE30ND07BS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 39 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.034 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для NCE30ND07BS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE30ND07BS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:292K  ncepower
 nce30nd07bs.pdf pdf_icon

NCE30ND07BS

NCE30ND07BShttp://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30ND07BS uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Schematic diagram General Features VDS =30V,ID =6.5A RDS(ON)

 5.1. Size:356K  ncepower
 nce30nd07s.pdf pdf_icon

NCE30ND07BS

Pb Free ProductNCE30ND07Shttp://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30ND07S uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic diagram VDS =30V,ID =7A RDS(ON)

 5.2. Size:368K  ncepower
 nce30nd07as.pdf pdf_icon

NCE30ND07BS

NCE30ND07AShttp://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30ND07AS uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Schematic diagram General Features VDS =30V,ID =7A RDS(ON)

 6.1. Size:384K  ncepower
 nce30nd09s.pdf pdf_icon

NCE30ND07BS

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE30ND09SNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30ND09S uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Schematic diagram General Features VDS =30V,ID =9A RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... NCE20ND07U , NCE20ND08U , NCE20ND15Q , NCE20PD05 , NCE25P60K , NCE3068Q , NCE30H10BK , NCE30H28 , IRFP250 , NCE30PD08S , NCE3404X , NCE4003A , NCE40H14 , NCE40ND25Q , NCE4606C , NCE4612SP , NCE4614B .

 

 
Back to Top

 


 
.