NCE30ND07BS - описание и поиск аналогов

 

NCE30ND07BS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NCE30ND07BS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 39 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.034 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для NCE30ND07BS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE30ND07BS даташит

 ..1. Size:292K  ncepower
nce30nd07bs.pdfpdf_icon

NCE30ND07BS

NCE30ND07BS http //www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30ND07BS uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Schematic diagram General Features VDS =30V,ID =6.5A RDS(ON)

 5.1. Size:356K  ncepower
nce30nd07s.pdfpdf_icon

NCE30ND07BS

Pb Free Product NCE30ND07S http //www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30ND07S uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic diagram VDS =30V,ID =7A RDS(ON)

 5.2. Size:368K  ncepower
nce30nd07as.pdfpdf_icon

NCE30ND07BS

NCE30ND07AS http //www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30ND07AS uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Schematic diagram General Features VDS =30V,ID =7A RDS(ON)

 6.1. Size:384K  ncepower
nce30nd09s.pdfpdf_icon

NCE30ND07BS

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE30ND09S NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30ND09S uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Schematic diagram General Features VDS =30V,ID =9A RDS(ON)

Другие MOSFET... NCE20ND07U , NCE20ND08U , NCE20ND15Q , NCE20PD05 , NCE25P60K , NCE3068Q , NCE30H10BK , NCE30H28 , IRFP250 , NCE30PD08S , NCE3404X , NCE4003A , NCE40H14 , NCE40ND25Q , NCE4606C , NCE4612SP , NCE4614B .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.