NCE65NF130F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: NCE65NF130F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 41 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
Аналог (замена) для NCE65NF130F
NCE65NF130F Datasheet (PDF)
nce65nf130f.pdf

NCE65NF130FN-Channel Super Junction Power MOSFET General DescriptionThe series of devices use advanced trench gate super V 710 VDS min@Tjmaxjunction technology and design to provide ultra-low RDS(ON)R 110 mDS(ON)TYPand low gate charge and With a rapid recovery bodyID 26 Adiode.This super junction MOSFET fits the industrys AC-DCQg 41 nCSMPS requirements for PFC, A
nce65nf130ll.pdf

NCE65NF130LLN-Channel Super Junction Power MOSFET General DescriptionThe series of devices use advanced trench gate super V 710 VDS min@Tjmaxjunction technology and design to provide ultra-low RDS(ON)R 110 mDS(ON)TYPand low gate charge and With a rapid recovery bodyID 26 Adiode.This super junction MOSFET fits the industrys AC-DCQg 41 nCSMPS requirements for PFC,
nce65nf130.pdf

NCE65NF130N-Channel Super Junction Power MOSFET General DescriptionThe series of devices use advanced trench gate super V 710 VDS min@Tjmaxjunction technology and design to provide ultra-low RDS(ON)R 110 mDS(ON)TYPand low gate charge and With a rapid recovery bodyID 26 Adiode.This super junction MOSFET fits the industrys AC-DCQg 41 nCSMPS requirements for PFC, AC
nce65nf130d.pdf

NCE65NF130DN-Channel Super Junction Power MOSFET General DescriptionThe series of devices use advanced trench gate super V 710 VDS min@Tjmaxjunction technology and design to provide ultra-low RDS(ON)R 110 mDS(ON)TYPand low gate charge and With a rapid recovery bodyID 26 Adiode.This super junction MOSFET fits the industrys AC-DCQg 41 nCSMPS requirements for PFC, A
Другие MOSFET... NCE60P82AF , NCE65N680D , NCE65N680F , NCE65N680I , NCE65N680K , NCE65N680R , NCE65NF130 , NCE65NF130D , HY1906P , NCE65NF130LL , NCE65NF130T , NCE65NF130V , NCE70N290T , NCE70N380T , NCE8205B , NCE8205T , NCE8601B .
History: NTB60N06G | APT5010B2LC | WMB072N12LG2-S | STP130N10F3 | SSF3616 | CJ2321 | STP6N120K3
History: NTB60N06G | APT5010B2LC | WMB072N12LG2-S | STP130N10F3 | SSF3616 | CJ2321 | STP6N120K3



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
7506 mosfet | irlr8726 datasheet | ru7088r mosfet | mp40 transistor | fgpf4636 datasheet | 2sc1945 | c2383 | 2sb681