Справочник MOSFET. NCE8651Q

 

NCE8651Q MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NCE8651Q
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 1000 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0125 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3

 Аналог (замена) для NCE8651Q

 

 

NCE8651Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:349K  ncepower
 nce8651q.pdf

NCE8651Q NCE8651Q

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE8651QNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE8651Q uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =20V,ID =10A Schematic diagram RDS(ON)

 9.1. Size:351K  ncepower
 nce8601b.pdf

NCE8651Q NCE8651Q

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE8601BNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE8601B uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. It is ESD protested. General Features Schematic diagram

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top