NCE8651Q - описание и поиск аналогов

 

NCE8651Q. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NCE8651Q

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 1000 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0125 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3

Аналог (замена) для NCE8651Q

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE8651Q даташит

 ..1. Size:349K  ncepower
 nce8651q.pdf pdf_icon

NCE8651Q

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE8651Q NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE8651Q uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =20V,ID =10A Schematic diagram RDS(ON)

 9.1. Size:351K  ncepower
 nce8601b.pdf pdf_icon

NCE8651Q

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE8601B NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE8601B uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. It is ESD protested. General Features Schematic diagram

Другие MOSFET... NCE65NF130LL , NCE65NF130T , NCE65NF130V , NCE70N290T , NCE70N380T , NCE8205B , NCE8205T , NCE8601B , IRF840 , NCEA2309 , NCEA75H25 , NCEAP020N60GU , NCEAP055N12D , NCEAP4075GU , NCEAP60P90AK , NCEP008NH40ASL , NCEP008NH40SL .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.