NCES075R026T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NCES075R026T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 176 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 750 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 21 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 56 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 151 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.034 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для NCES075R026T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCES075R026T даташит

 ..1. Size:791K  ncepower
 nces075r026t.pdf pdf_icon

NCES075R026T

 0.1. Size:801K  ncepower
 nces075r026t4.pdf pdf_icon

NCES075R026T

PbFree Product NCES075R026T4 750V, 56A, N-channel SiC power MOSFET General Description NCES075R026T4 is a SiC MOSFET that contributes to miniaturization and low power consumption of applications. This product achieves industry-leading low on-resistance without sacrificing short-circuit withstand time. This is a 4-pin package type with a driver source terminal that can maximize the high-

Другие IGBT... NCEP018NH30QU, NCEP023NH85AGU, NCEP023NH85GU, NCEP1580F, NCEP40ND80G, NCEP40T14A, NCEP60ND30AG, NCEP60ND60G, IRFP250N, NCES075R026T4, NCES120P035T4, NCES120P075T4, NCES120R018T4, BL10N40-A, BL10N40-D, BL10N40-P, BL10N40-U