Справочник MOSFET. NCES075R026T

 

NCES075R026T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NCES075R026T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 176 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 750 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 21 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 56 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 151 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.034 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для NCES075R026T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCES075R026T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:791K  ncepower
 nces075r026t.pdf pdf_icon

NCES075R026T

PbFree ProductNCES075R026T750V, 56A, N-channel SiC power MOSFETGeneral Description:NCES075R026T is a SiC MOSFET that contributes to miniaturization and lowpower consumption of applications. This product achieves industry-leading lowon-resistance without sacrificing short-circuit withstand time.Features Low on-resistance Fast switching speed Fast reverse recovery

 0.1. Size:801K  ncepower
 nces075r026t4.pdf pdf_icon

NCES075R026T

PbFree ProductNCES075R026T4750V, 56A, N-channel SiC power MOSFETGeneral Description:NCES075R026T4 is a SiC MOSFET that contributes to miniaturization and lowpower consumption of applications. This product achieves industry-leading lowon-resistance without sacrificing short-circuit withstand time. This is a 4-pinpackage type with a driver source terminal that can maximize the high-

Другие MOSFET... NCEP018NH30QU , NCEP023NH85AGU , NCEP023NH85GU , NCEP1580F , NCEP40ND80G , NCEP40T14A , NCEP60ND30AG , NCEP60ND60G , AON7408 , NCES075R026T4 , NCES120P035T4 , NCES120P075T4 , NCES120R018T4 , BL10N40-A , BL10N40-D , BL10N40-P , BL10N40-U .

History: 2N6661M1A | KNF6165A | 10N80AF | STP7NK30Z | NTD12N10T4 | SML20L100F | IRF7811AVTR

 

 
Back to Top

 


 
.