BL23N50-W - аналоги и даташиты транзистора

 

BL23N50-W - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BL23N50-W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 271 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 78 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 279 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.26 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PN

 Аналог (замена) для BL23N50-W

 

BL23N50-W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:720K  belling
 bl23n50-p bl23n50-a bl23n50-w bl23n50-k.pdf pdf_icon

BL23N50-W

BL23N50 Power MOSFET Power MOSFET Power MOSFET Power MOSFET 1 Description BL23N50, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applicati

Другие MOSFET... BL20N60-W , BL20N65-A , BL20N65-F , BL20N65-P , BL20N65-W , BL23N50-A , BL23N50-K , BL23N50-P , IRFP064N , BL25N40-A , BL25N40-F , BL25N40-P , BL25N40-W , BL25N50-F , BL25N50-W , BL25N60-F , BL25N60-W .

 

 
Back to Top

 


 
.