BL25N60-W datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BL25N60-W  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 420 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 81 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 399 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.26 Ohm

Тип корпуса: TO-3PN

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для BL25N60-W

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BL25N60-W даташит

 ..1. Size:1376K  belling
 bl25n60-w bl25n60-f.pdf pdf_icon

BL25N60-W

BL25N60 Power MOSFET 1 Description BL25N60, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V 600

 8.1. Size:503K  belling
 bl25n65-w bl25n65-f.pdf pdf_icon

BL25N60-W

BL25N65 Power MOSFET Power MOSFET Power MOSFET Power MOSFET 1 Description BL25N65, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applica

 9.1. Size:1108K  belling
 bl25n40-p bl25n40-a bl25n40-w bl25n40-f.pdf pdf_icon

BL25N60-W

BL25N40 Power MOSFET 1 Description Step-Down Converter BL25N40, the silicon N-channel Enhanced , MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS Pa

 9.2. Size:552K  belling
 bl25n50-w bl25n50-f.pdf pdf_icon

BL25N60-W

BL25N50 Power MOSFET Power MOSFET Power MOSFET Power MOSFET 1 Description BL25N50, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applicati

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... BL23N50-W, BL25N40-A, BL25N40-F, BL25N40-P, BL25N40-W, BL25N50-F, BL25N50-W, BL25N60-F, IRF540N, BL25N65-F, BL25N65-W, BL2N50-A, BL2N50-D, BL2N50-P, BL2N50-U, BL2N60-A, BL2N60-D