Справочник MOSFET. BL2N50-P

 

BL2N50-P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BL2N50-P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 42 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для BL2N50-P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BL2N50-P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1135K  belling
 bl2n50-p bl2n50-a bl2n50-u bl2n50-d.pdf pdf_icon

BL2N50-P

BL2N50 Power MOSFET 1Description Step-Down Converter BL2N50, the silicon N-channel Enhanced , MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS Para

Другие MOSFET... BL25N50-F , BL25N50-W , BL25N60-F , BL25N60-W , BL25N65-F , BL25N65-W , BL2N50-A , BL2N50-D , IRFP460 , BL2N50-U , BL2N60-A , BL2N60-D , BL2N60-P , BL2N60-U , BL30N30-A , BL30N30-B , BL30N30-P .

History: IXTT1N300P3HV | 2SK2365-Z | PUM6K31N | IRFS730A | ELM53401CA | DH3205A | GSM4996

 

 
Back to Top

 


 
.