Справочник MOSFET. BL3N90-D

 

BL3N90-D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: BL3N90-D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 68 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 47 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для BL3N90-D

 

 

BL3N90-D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:973K  belling
 bl3n90-p bl3n90-a bl3n90-u bl3n90-d.pdf

BL3N90-D BL3N90-D

BL3N90 Power MOSFET 1Description Step-Down Converter BL3N90, the silicon N-channel Enhanced , MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS Param

 8.1. Size:965K  belling
 bl3n90e-p bl3n90e-a bl3n90e-u bl3n90e-d.pdf

BL3N90-D BL3N90-D

BL3N90E Power MOSFET 1Description Step-Down Converter BL3N90E, the silicon N-channel Enhanced , MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS Par

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IXTA1R6N50D2

 

 
Back to Top