BL50N30-W. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BL50N30-W

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 300 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 860 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.063 Ohm

Тип корпуса: TO-3PN

Аналог (замена) для BL50N30-W

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BL50N30-W даташит

 ..1. Size:504K  belling
 bl50n30-w bl50n30-f.pdf pdf_icon

BL50N30-W

BL50N30 Power MOSFET Power MOSFET Power MOSFET Power MOSFET 1 Description BL50N30, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applicati

Другие IGBT... BL4N80-D, BL4N80K-A, BL4N80K-D, BL4N80K-P, BL4N80K-U, BL4N80-P, BL4N80-U, BL50N30-F, IRFB7545, BL59N30-F, BL59N30-W, BL5N135-A, BL5N135-F, BL5N135-K, BL5N135-P, BL5N135-W, BL5N50-A