BL59N30-F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BL59N30-F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 420 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 300 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 59 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 550 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 895 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.041 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для BL59N30-F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BL59N30-F даташит

 ..1. Size:849K  belling
 bl59n30-w bl59n30-f.pdf pdf_icon

BL59N30-F

BL59N30 Power MOSFET 1 Description Step-Down Converter BL59N30, the silicon N-channel Enhanced , MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS Pa

Другие IGBT... BL4N80K-A, BL4N80K-D, BL4N80K-P, BL4N80K-U, BL4N80-P, BL4N80-U, BL50N30-F, BL50N30-W, AON7403, BL59N30-W, BL5N135-A, BL5N135-F, BL5N135-K, BL5N135-P, BL5N135-W, BL5N50-A, BL5N50-D