Справочник MOSFET. BL59N30-W

 

BL59N30-W Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BL59N30-W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 420 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 59 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 155 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 550 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 895 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.041 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PN
 

 Аналог (замена) для BL59N30-W

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BL59N30-W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:849K  belling
 bl59n30-w bl59n30-f.pdf pdf_icon

BL59N30-W

BL59N30 Power MOSFET 1Description Step-Down Converter BL59N30, the silicon N-channel Enhanced , MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS Pa

Другие MOSFET... BL4N80K-D , BL4N80K-P , BL4N80K-U , BL4N80-P , BL4N80-U , BL50N30-F , BL50N30-W , BL59N30-F , IRF9640 , BL5N135-A , BL5N135-F , BL5N135-K , BL5N135-P , BL5N135-W , BL5N50-A , BL5N50-D , BL5N50-P .

History: CS840A8D | STU309DH

 

 
Back to Top

 


 
.