BL8N100-P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BL8N100-P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для BL8N100-P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BL8N100-P даташит

 ..1. Size:1469K  belling
 bl8n100-p bl8n100-a bl8n100-w bl8n100-f.pdf pdf_icon

BL8N100-P

BL8N100 Power MOSFET 1 Description Step-Down Converter BL8N100, the silicon N-channel Enhanced , MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS Pa

Другие IGBT... BL7N80-P, BL7N80-W, BL80N20-F, BL80N20L-F, BL80N20L-W, BL80N20-W, BL8N100-A, BL8N100-F, 5N65, BL8N100-W, BL8N50-A, BL8N50-D, BL8N50-I, BL8N50-P, BL8N50-U, BL8N60-A, BL8N60-D