BL9N20-P - аналоги и даташиты транзистора

 

BL9N20-P - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BL9N20-P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.32 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для BL9N20-P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BL9N20-P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:603K  belling
 bl9n20-p bl9n20-a bl9n20-u bl9n20-d.pdf pdf_icon

BL9N20-P

BL9N20 Power MOSFET Power MOSFETPower MOSFETPower MOSFET 1 Description BL9N20, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose application

Другие MOSFET... BL8N60-A , BL8N60-D , BL8N60-P , BL8N60-U , BL90N25-F , BL90N25-W , BL9N20-A , BL9N20-D , P0903BDG , BL9N20-U , BL9N50-A , BL9N50-D , BL9N50-P , BL9N50-U , BL9N90-A , BL9N90-F , BL9N90-W .

History: 2SK412 | AP9962AGP | F6B52HP | HGA155N15S | MCU20N06A | CS7N60A7HD | 2SK2441

 

 
Back to Top

 


 
.