BLC75N120-F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BLC75N120-F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 187.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70.3 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для BLC75N120-F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BLC75N120-F даташит

 ..1. Size:1516K  belling
 blc75n120-f blc75n120-z blc75n120-bg.pdf pdf_icon

BLC75N120-F

BLC75N120 Silicon Carbide Power MOSFET 1 Description Step-Down Converter BLC75N120 is an N-channel enhancement type planar , MOSFET, with the revolutionary semiconductor material - silicon carbide, which has the advantages of low on- resistance, low capacitance and gate charge, and superior switching performance. The device can provide higher efficiency, faster operation f

Другие IGBT... BL9N50-A, BL9N50-D, BL9N50-P, BL9N50-U, BL9N90-A, BL9N90-F, BL9N90-W, BLC75N120-BG, IRF2807, BLC75N120-Z, BLM03N03-D, BLM04N06-B, BLM04N06-P, BLM04N08-B, BLM04N08-P, BLM055N04-D, BLM05N03-D