BLM055N04-D - аналоги и даташиты транзистора

 

BLM055N04-D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BLM055N04-D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 64.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для BLM055N04-D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BLM055N04-D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:568K  belling
 blm055n04-d.pdf pdf_icon

BLM055N04-D

BLM055N04 Power MOSFET 1Description Step-Down Converter The BLM055N04 uses advanced trench , technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V 40 V DSI 80 A DR .Typ 3.4 m DS(ON)@10V R .Typ 4.5 m DS(ON)@4.5V FEATURES Advanced Trench Technolog

 9.1. Size:501K  belling
 blm05n03-d.pdf pdf_icon

BLM055N04-D

BLM05N03 Power MOSFET 1Description Step-Down Converter The BLM05N03 uses advanced trench , technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V 30 V DSI 100 A DR .Typ 2.7 m DS(ON)@10V R .Typ 5.2 m DS(ON)@4.5V FEATURES Advanced Trench Technology

Другие MOSFET... BLC75N120-BG , BLC75N120-F , BLC75N120-Z , BLM03N03-D , BLM04N06-B , BLM04N06-P , BLM04N08-B , BLM04N08-P , RU6888R , BLM05N03-D , BLM06N03-D , BLM06N10-B , BLM06N10-P , BLM075N04-D , BLM07N06-D , BLM07N06-P , BLM07N20-C .

History: BUK9Y19-100E | STU601S | STP2N62K3 | IXTA3N120TRL | KF10N68F | JCS6AN70F | SPA11N60C3

 

 
Back to Top

 


 
.