BLM055N04-D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BLM055N04-D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 64.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для BLM055N04-D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BLM055N04-D даташит

 ..1. Size:568K  belling
 blm055n04-d.pdf pdf_icon

BLM055N04-D

BLM055N04 Power MOSFET 1 Description Step-Down Converter The BLM055N04 uses advanced trench , technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V 40 V DS I 80 A D R .Typ 3.4 m DS(ON)@10V R .Typ 4.5 m DS(ON)@4.5V FEATURES Advanced Trench Technolog

 9.1. Size:501K  belling
 blm05n03-d.pdf pdf_icon

BLM055N04-D

BLM05N03 Power MOSFET 1 Description Step-Down Converter The BLM05N03 uses advanced trench , technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V 30 V DS I 100 A D R .Typ 2.7 m DS(ON)@10V R .Typ 5.2 m DS(ON)@4.5V FEATURES Advanced Trench Technology

Другие IGBT... BLC75N120-BG, BLC75N120-F, BLC75N120-Z, BLM03N03-D, BLM04N06-B, BLM04N06-P, BLM04N08-B, BLM04N08-P, AO3400A, BLM05N03-D, BLM06N03-D, BLM06N10-B, BLM06N10-P, BLM075N04-D, BLM07N06-D, BLM07N06-P, BLM07N20-C