Справочник MOSFET. BLM055N04-D

 

BLM055N04-D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BLM055N04-D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 64.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BLM055N04-D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:568K  belling
 blm055n04-d.pdf pdf_icon

BLM055N04-D

BLM055N04 Power MOSFET 1Description Step-Down Converter The BLM055N04 uses advanced trench , technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V 40 V DSI 80 A DR .Typ 3.4 m DS(ON)@10V R .Typ 4.5 m DS(ON)@4.5V FEATURES Advanced Trench Technolog

 9.1. Size:501K  belling
 blm05n03-d.pdf pdf_icon

BLM055N04-D

BLM05N03 Power MOSFET 1Description Step-Down Converter The BLM05N03 uses advanced trench , technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V 30 V DSI 100 A DR .Typ 2.7 m DS(ON)@10V R .Typ 5.2 m DS(ON)@4.5V FEATURES Advanced Trench Technology

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: IRF9Z24NPBF | RCD100N19 | IAUC100N10S5N040 | STU601S | 2SK1957 | NTD15N06L-001 | STB200NF04L

 

 
Back to Top

 


 
.