Справочник MOSFET. BLM06N10-B

 

BLM06N10-B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BLM06N10-B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 211 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 140 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 770 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BLM06N10-B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:850K  belling
 blm06n10-p blm06n10-b.pdf pdf_icon

BLM06N10-B

Green Product BLM06N10 100V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION KEY CHARACTERISTICS The BLM06N10 uses advanced trench technology to provide V = 100V,I = 140A DS Dexcellent R , low gate charge. It can be used in a wide R

 8.1. Size:495K  belling
 blm06n03-d.pdf pdf_icon

BLM06N10-B

BLM06N03 Power MOSFET 1Description Step-Down Converter The BLM06N03 uses advanced trench , technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V 30 V DSI 70 A DR .Typ 6.0 m DS(ON)@10V R .Typ 9.5 m DS(ON)@4.5V FEATURES Advanced Trench Technology

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: IXTP60N28TM-A | RFM04U6P | MS5N60 | SWF4N65D | MDIB6N70CTH | BSS84N3 | 2SK2882

 

 
Back to Top

 


 
.