BLM12P03-R MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: BLM12P03-R
Маркировка: M12P03
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 10.6 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 55.3 nC
trⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 294 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
Тип корпуса: PDFN3.3X3.3
Аналог (замена) для BLM12P03-R
BLM12P03-R Datasheet (PDF)
blm12p03-r.pdf
Pb Free Product BLM12P03 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDESCRIPTION GThe BLM12P03 uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and operation with gate DS(ON)Svoltages as low as 4.5V. Schematic diagram GENERAL FEATURES V = -30V,I = -20A DS DR
blm12n08-p blm12n08-d blm12n08-b.pdf
Green Product BLM12N08 80V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION KEY CHARACTERISTICS The BLM12N08 uses advanced trench technology to provide V = 80V,I = 70A DS Dexcellent R , low gate charge. It can be used in a wide R
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918