BLM12P03-R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BLM12P03-R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 10.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 294 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm

Тип корпуса: PDFN3.3X3.3

Аналог (замена) для BLM12P03-R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BLM12P03-R даташит

 ..1. Size:1164K  belling
 blm12p03-r.pdf pdf_icon

BLM12P03-R

Pb Free Product BLM12P03 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D DESCRIPTION G The BLM12P03 uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and operation with gate DS(ON) S voltages as low as 4.5V. Schematic diagram GENERAL FEATURES V = -30V,I = -20A DS D R

 9.1. Size:1301K  belling
 blm12n08-p blm12n08-d blm12n08-b.pdf pdf_icon

BLM12P03-R

Green Product BLM12N08 80V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION KEY CHARACTERISTICS The BLM12N08 uses advanced trench technology to provide V = 80V,I = 70A DS D excellent R , low gate charge. It can be used in a wide R

Другие IGBT... BLM08P02-R, BLM10P03-D, BLM10P03-E, BLM10P03-Q, BLM10P03-R, BLM12N08-B, BLM12N08-D, BLM12N08-P, IRF740, BLM14N08-D, BLM14N08-P, BLM16N10-D, BLM16N10-P, BLM22N10-D, BLM22N10-P, BLM30DN06L-E, BLM4407