BLM14N08-D - аналоги и даташиты транзистора

 

BLM14N08-D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BLM14N08-D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 143 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 235 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для BLM14N08-D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BLM14N08-D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1296K  belling
 blm14n08-p blm14n08-d.pdf pdf_icon

BLM14N08-D

Green Product BLM14N08L 80V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION KEY CHARACTERISTICS The BLM14N08L uses advanced trench technology to provide V = 80V,I = 60A DS Dexcellent R , low gate charge. It can be used in a wide R

Другие MOSFET... BLM10P03-D , BLM10P03-E , BLM10P03-Q , BLM10P03-R , BLM12N08-B , BLM12N08-D , BLM12N08-P , BLM12P03-R , IRF840 , BLM14N08-P , BLM16N10-D , BLM16N10-P , BLM22N10-D , BLM22N10-P , BLM30DN06L-E , BLM4407 , BLM80P10-D .

History: AP10TN135J | HSP0115 | SL4041 | HMS200N04D | SI2312BDS-T1 | P2206HK | AP4506GEM

 

 
Back to Top

 


 
.