BLM14N08-D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BLM14N08-D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 143 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 235 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для BLM14N08-D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BLM14N08-D даташит

 ..1. Size:1296K  belling
 blm14n08-p blm14n08-d.pdf pdf_icon

BLM14N08-D

Green Product BLM14N08L 80V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION KEY CHARACTERISTICS The BLM14N08L uses advanced trench technology to provide V = 80V,I = 60A DS D excellent R , low gate charge. It can be used in a wide R

Другие IGBT... BLM10P03-D, BLM10P03-E, BLM10P03-Q, BLM10P03-R, BLM12N08-B, BLM12N08-D, BLM12N08-P, BLM12P03-R, IRF840, BLM14N08-P, BLM16N10-D, BLM16N10-P, BLM22N10-D, BLM22N10-P, BLM30DN06L-E, BLM4407, BLM80P10-D