Справочник MOSFET. BLM14N08-D

 

BLM14N08-D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BLM14N08-D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 143 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 235 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BLM14N08-D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1296K  belling
 blm14n08-p blm14n08-d.pdf pdf_icon

BLM14N08-D

Green Product BLM14N08L 80V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION KEY CHARACTERISTICS The BLM14N08L uses advanced trench technology to provide V = 80V,I = 60A DS Dexcellent R , low gate charge. It can be used in a wide R

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: NVTFS002N04C | SI9945BDY

 

 
Back to Top

 


 
.